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トランジスタ・集積デバイス / 実装・3D集積

熊本大学 山本研究室

ゲルマニウム(Ge)系の半導体デバイスを研究しています。単結晶シリコンの上に多結晶 GeSn を重ねるモノリシック三次元積層や、Ge-on-Insulator 基板を使った発光素子、Ge スピン MOSFET などに取り組んでいます。

01基本情報


大学
熊本大学(熊本県)
所属
半導体・デジタル研究教育機構(工学部 半導体デバイス工学課程)
教員
山本 圭介 教授
分野
トランジスタ・集積デバイス・実装・3D集積

02研究テーマ


研究室の公式サイト・大学の公開資料に挙げられているテーマです。

  • 単結晶 Si/多結晶 GeSn のモノリシック三次元積層デバイス
  • 中空ゲルマニウム構造による電子・光デバイスの集積化
  • Ge-on-Insulator 基板を使った MIS 型近赤外発光素子
  • ゲルマニウムスピン MOSFET

03この研究室に関わる技術


用語集で仕組みと用途を解説しています。

04同じ分野の研究室

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05出典


2026/10/24 確認。教員の異動や研究室名の変更があるため、最新の情報は公式サイトで確認してください。