パワー半導体 / 結晶・材料
佐賀大学 嘉数研究室
ダイヤモンド半導体のデバイスを研究しています。高純度の原料を使ったダイヤモンド MOSFET で 4,266V のオフ耐圧、電子線描画でつくった T 型ゲートで 120GHz 帯の増幅を報告しており、Beyond 5G・6G の基地局や衛星の送信デバイスへの応用を目指しています。
- 研究テーマ3
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- 共同研究の実績0
01基本情報
02研究テーマ
研究室の公式サイト・大学の公開資料に挙げられているテーマです。
- ダイヤモンド半導体パワーデバイス
- マイクロ波・ミリ波帯のダイヤモンドトランジスタ
- ドーピング層とキャリア走行層を分けた新しいデバイス構造
03この研究室に関わる技術
用語集で仕組みと用途を解説しています。
04同じ分野の研究室
研究室一覧 →05出典
2026/10/24 確認。教員の異動や研究室名の変更があるため、最新の情報は公式サイトで確認してください。