SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
イオン注入装置メーカー3社Ion Implantation Equipment
イオン注入装置は、シリコンなどの半導体基板に不純物イオン（ボロン・リン・ヒ素など）を高エネルギーで打ち込み、トランジスタのソース・ドレイン・ウェル領域の導電型と濃度を精密に制御する前工程の基幹装置です。注入するイオンの種類・エネルギー・ドーズ量（注入量）を独立して制御できるため、拡散炉による熱拡散法に比べてプロセス自由度が高く、浅い接合（シャロージャンクション）形成や3D構造デバイスへの対応が可能です。主な方式はビームライン式（質量分離・高精度単一種）とプラズマドーピング（PLAD：低エネルギー・高ドーズ・高スループット）に大別されます。注入後は結晶損傷の回復と不純物の電気的活性化のためアニール処理が必要です。FinFET・GAAなど3D構造デバイスでは多軸・高傾斜注入が求められ、装置の精度と柔軟性への要求が高まっています。
メーカー 3 社サブカテゴリ 2 件
重要ポイント
不純物イオンのエネルギー・ドーズを独立制御し精密な不純物プロファイルを形成
ビームライン式（高精度）とプラズマドーピング（高スループット）の2方式
FinFET・GAAの3D構造に対応した多軸・高傾斜注入が現代の技術要件
注入後のアニール処理（RTP・レーザーアニール）と組み合わせてプロセス完結
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