イオン注入装置メーカー3社Ion Implantation Equipment
イオン注入装置は、シリコンなどの半導体基板に不純物イオン（ボロン・リン・ヒ素など）を高エネルギーで打ち込み、トランジスタのソース・ドレイン・ウェル領域の導電型と濃度を精密に制御する前工程の基幹装置です。注入するイオンの種類・エネルギー・ドーズ量（注入量）を独立して制御できるため、拡散炉による熱拡散法に比べてプロセス自由度が高く、浅い接合（シャロージャンクション）形成や3D構造デバイスへの対応が可能です。主な方式はビームライン式（質量分離・高精度単一種）とプラズマドーピング（PLAD：低エネルギー・高ドーズ・高スループット）に大別されます。注入後は結晶損傷の回復と不純物の電気的活性化のためアニール処理が必要です。FinFET・GAAなど3D構造デバイスでは多軸・高傾斜注入が求められ、装置の精度と柔軟性への要求が高まっています。
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ビームライン式イオン注入装置は、イオン源で生成した不純物イオンを質量分析磁石で種別分離し、高エネルギーで加速してウェハに打ち込む装置です。
メーカー 5 社高電流イオン注入装置高電流イオン注入装置は、10mAを超える大電流ビームで高ドーズ注入を行う装置です。
メーカー 4 社高エネルギーイオン注入装置高エネルギーイオン注入装置は、MeV級まで加速したイオンを基板の深部へ打ち込む装置です。
メーカー 4 社中電流イオン注入装置中電流イオン注入装置は、ビーム電流が数十μA〜数mA程度の領域を受け持つイオン注入装置です。
メーカー 5 社プラズマドーピング装置プラズマドーピング装置（PLAD：Plasma Doping）は、プラズマ中に不純物ガスを導入し、ウェハ表面全体に一様にイオンを照射・注入する装置です。
メーカー 2 社重要ポイント
メーカー
3社の主要メーカー
イオン注入装置の専業メーカー。Purionシリーズで低〜高エネルギーの注入をカバーし、先端ロジック・メモリ・SiCパワー半導体の製造を支える。
- •イオン注入装置のグローバル主要サプライヤー
- •Purionシリーズによる幅広いドーズ・エネルギー対応
- •SiCパワーデバイス向け高電流注入に強み
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
- •先端ノード向けの革新的技術開発
イオン注入装置の専業メーカーとして、中電流・高電流・超高エネルギーイオン注入装置を展開。パワー半導体・CMOS向けドーピング装置で高い技術力を誇る。
- •中電流・高電流・超高エネルギー全タイプのイオン注入装置を製造
- •パワー半導体向け大電流注入装置で強い実績
- •日新電機グループの高電圧・イオンビーム技術を継承
関連する装置カテゴリ
前工程装置は、半導体製造プロセスにおいてウェハ上に回路パターンを形成する工程で使用される装置群です。
メーカー 9 社熱処理装置熱処理装置は、半導体ウェハを高温（200〜1100°C程度）に加熱して、不純物の活性化・酸化膜形成・シリサイド形成・アニール（結晶欠陥回復）などの熱反応を行う前工程の重要装置群です。
メーカー 6 社成膜装置成膜装置は、ウェハ表面に絶縁膜、導電膜、半導体膜などの薄膜を数百ナノメートルから原子レベルの厚さで形成する前工程の重要装置です。
メーカー 9 社製造プロセス半導体製造プロセスは、シリコンウェハ上に微細な回路を形成する一連の工程と、その技術ノード（2nm・3nm・5nmなど）の組み合わせを指します。
メーカー 12 社