SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
熱処理装置メーカー6社Thermal Treatment Equipment
熱処理装置は、半導体ウェハを高温(200〜1100°C程度)に加熱して、不純物の活性化・酸化膜形成・シリサイド形成・アニール(結晶欠陥回復)などの熱反応を行う前工程の重要装置群です。急速加熱冷却が可能なRTP(Rapid Thermal Processing)は1枚ずつ高精度に処理し、バッチ式拡散炉は複数枚を同時処理して高スループットを実現します。レーザーアニール装置はミリ秒以下の超短時間加熱で表面のみを処理し、熱予算(サーマルバジェット)を最小化します。微細化の進展とともに熱拡散による不純物の広がりを抑制するための低温・短時間処理と、3D積層構造の下層デバイスへの熱ダメージを防ぐ局所加熱技術が重要課題となっています。
メーカー 6 社サブカテゴリ 4 件
重要ポイント
RTP(枚葉急速熱処理)・バッチ拡散炉・レーザーアニールの3方式が用途別に使い分けられる
イオン注入後の不純物活性化・結晶欠陥回復に不可欠なプロセス
熱予算(Thermal Budget)の最小化が微細化と3D構造対応の核心課題
レーザーアニールによる超短時間・局所加熱で低温プロセスを実現
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