Axcelis Technologies

イオン注入装置の専業メーカー。Purionシリーズで低〜高エネルギーの注入をカバーし、先端ロジック・メモリ・SiCパワー半導体の製造を支える。

米国・装置メーカー・公式サイト ↗

当サイトでの位置づけ

Semiraiのイオン注入カテゴリでは、低エネルギー〜高エネルギーの広い注入レンジをカバーするPurionシリーズが前工程ドーパント制御の代表事例として参照されます。

企業の強み

イオン注入装置のグローバル主要サプライヤー
Purionシリーズによる幅広いドーズ・エネルギー対応
SiCパワーデバイス向け高電流注入に強み

主要製品・ソリューション

イオン注入装置

  • •Purion H
  • •Purion XE
  • •Purion M
  • •Purion EXt

Axcelis Technologiesの製品

関連装置カテゴリ

半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Axcelis Technologiesを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
→

関連用語

同じトピックの用語

イオン注入・熱処理 のトピックで関連する用語です。

同じトピックの企業

Applied Materials米国住友重機械イオンテクノロジー日本日新イオン機器日本PSK Holdings韓国Kokusai Electric(国際電気)日本Mattson Technology米国

比較・違いを学ぶ

レーザーアニールとRTP(急速熱処理)の違い
RTP(Rapid Thermal Processing)はハロゲンランプで基板全体を数秒〜数十秒で1000°C以上に急速加熱するのに対し、レーザーアニール(L…
→
イオン注入と熱拡散の違い(不純物導入プロセスの比較)
イオン注入(Ion Implantation)は不純物(ドーパント)をイオン化・加速して基板に物理的に打ち込む方法で、ドーズ量と加速エネルギーにより濃度と接合深…
→
スパイクアニールとフラッシュランプアニールの違い
イオン注入したドーパントを活性化するには高温が要りますが、高温に留まればドーパントが拡散して接合が深く広がってしまいます。この矛盾をどう解くかが活性化アニールの…
→
ビームライン式イオン注入とプラズマドーピングの違い
どちらもウェハにドーパントを打ち込む手法ですが、イオンの届け方が根本的に違います。ビームライン式は「選別したイオンを一本のビームにして走査する」、PLADは「プ…
→
公式サイトへ

Axcelis Technologies のご担当者様へ

このページの掲載内容を貴社で管理できます(企業ページの認領)。情報の修正は無料、詳細掲載や資料掲載は有料プランでご利用いただけます。

無料掲載¥0
掲載内容の修正依頼
スタンダード¥5,000/月
詳細掲載・PDF資料・月次レポート
プレミアム¥30,000〜/月
上位表示・ロゴ掲載・引き合い件数

※ 税別。有料プランは最低3ヶ月から。 プランの詳細を見る

← 企業一覧に戻る