プラズマドーピング装置メーカー2社
プラズマドーピング装置（PLAD：Plasma Doping）は、プラズマ中に不純物ガスを導入し、ウェハ表面全体に一様にイオンを照射・注入する装置です。ビームライン式に比べて超低エネルギー（数百eV〜数keV）での均一注入と高スループットが特徴で、FinFETのフィン側面やGAAナノシート側面への均一なドーピングなど、3D構造デバイスの微細拡散層形成に適しています。
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主要特徴
超低エネルギー（数百eV〜数keV）での均一注入を高スループットで実現
3D構造（FinFET・GAA）の側壁・底面に等方的に注入可能
ソース/ドレイン拡張領域の超浅接合形成に最適
Applied Materials・Lam Research・Mattson が主要メーカー
よくある質問
プラズマドーピングとは何ですか？▾
プラズマドーピング（PLAD）は、プラズマ中の不純物イオンをウェハ表面全体に均一照射する手法です。超低エネルギーの一様注入が可能で、FinFET/GAAの3D構造への等方的ドーピングや、ソース/ドレイン拡張の超浅接合形成に使われます。
プラズマドーピングとビームライン式の使い分けは？▾
プラズマドーピングは超低エネルギー・高スループット・3D形状への等方的注入が特徴で、ソース/ドレイン拡張層の浅接合に適します。ビームライン式は高精度な質量分析とエネルギー制御が必要な工程（ウェル形成・ゲート調整など）に使われます。
代表製品・スペック
製品写真
| 方式 | プラズマドーピング（パルス DC ウェーハバイアス） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm（PLAD T2） |
| 注入電圧 | 200 V ～ 10 kV |
| 主要用途 | 3D 構造のコンフォーマルドーピング・高ドーズ注入 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
2社の主要メーカー
Applied Materials米国
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
Axcelis Technologies米国
イオン注入装置の専業メーカー。Purionシリーズで低〜高エネルギーの注入をカバーし、先端ロジック・メモリ・SiCパワー半導体の製造を支える。
イオン注入装置
Purion HPurion XEPurion MPurion EXt
- •イオン注入装置のグローバル主要サプライヤー
- •Purionシリーズによる幅広いドーズ・エネルギー対応
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