SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
プラズマドーピング装置メーカー2社
プラズマドーピング装置(PLAD:Plasma Doping)は、プラズマ中に不純物ガスを導入し、ウェハ表面全体に一様にイオンを照射・注入する装置です。ビームライン式に比べて超低エネルギー(数百eV〜数keV)での均一注入と高スループットが特徴で、FinFETのフィン側面やGAAナノシート側面への均一なドーピングなど、3D構造デバイスの微細拡散層形成に適しています。
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主要特徴
超低エネルギー(数百eV〜数keV)での均一注入を高スループットで実現
3D構造(FinFET・GAA)の側壁・底面に等方的に注入可能
ソース/ドレイン拡張領域の超浅接合形成に最適
Applied Materials・Lam Research・Mattson が主要メーカー
よくある質問
メーカー
2社の主要メーカー
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比較・違いを学ぶ
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