漂移電流與擴散電流是半導體中載子（電子・電洞）流動的2種機制。漂移電流是載子受電場牽引移動而產生的電流。擴散電流是載子從濃度高處向濃度低處擴散而產生的電流。金屬中的電流幾乎只需以漂移就能說明，但在半導體中，由於摻雜使各處的載子濃度差異很大，必須同時考慮兩者。
電子的漂移電流密度以 J＝qnμE 表示，與電荷q、載子濃度n、遷移率μ、電場E成正比。載子速度在弱電場下與電場成正比，但在強電場（矽中約10⁴～10⁵V/cm以上）下會在約1×10⁷cm/s達到上限（速度飽和）。電子的擴散電流密度以 J＝qD（dn/dx）表示，與濃度梯度及擴散係數D成正比。遷移率與擴散係數以愛因斯坦關係式 D＝（kT/q）μ 相連結，室溫下kT/q約為0.026V。
在pn接面中，熱平衡狀態下由濃度差產生的擴散電流，與內建電位電場產生的漂移電流相互平衡，淨電流為零。施加順向電壓時能障降低，擴散電流呈指數增加，這就是二極體整流作用的來源。在MOSFET中，導通狀態（強反轉）時以通道的漂移電流為主，但在臨界電壓以下的次臨界區，擴散電流占主導，汲極電流相對於閘極電壓呈指數變化。其斜率的極限（室溫下約60mV/decade）成為低電壓化的障礙。結合2種電流的漂移擴散模型，是元件模擬（TCAD）的基本概念。