最大的差異在於「耐受高電壓的特性」。SiC的能隙約3.3eV，約為矽（約1.1eV）的3倍，崩潰電場約為10倍，因此能以較薄的漂移層做出相同耐壓的元件，大幅降低導通電阻與損耗。熱傳導率也約為矽的3倍，耐高溫操作，有助於電動車逆變器與快速充電器連同散熱系統整體縮小。另一方面，SiC晶圓的晶體成長速度慢、缺陷也容易殘留，因此尺寸以150mm為主，小於矽（300mm），價格也較昂貴。基本的選用原則是：耐壓600V左右以下或重視成本的用途使用矽，高耐壓且降低損耗價值大的用途使用SiC。
主要差異
| 比較面向 | SiC（4H-SiC） | 矽（Si） |
|---|---|---|
| 能隙 | 約3.26eV | 約1.12eV |
| 崩潰電場 | 約2.8MV/cm（約為矽的10倍） | 約0.3MV/cm |
| 熱傳導率 | 約4.9W/(cm·K) | 約1.5W/(cm·K) |
| 電子遷移率（塊材） | 約1,000cm²/(V·s) | 約1,400cm²/(V·s) |
| 主流晶圓尺寸 | 150mm（正轉向200mm） | 300mm（功率用途也常用200mm） |
| 晶體成長 | 昇華法（2,000℃以上），成長慢、缺陷容易殘留 | 以CZ法有效率地拉出大尺寸、低缺陷的晶體 |
| 摻雜 | 幾乎不會發生熱擴散，需要高溫離子佈植與1,600℃以上的活化退火 | 離子佈植與1,000℃左右的退火，也可使用熱擴散 |
| 加工性 | 非常硬，切割、研削與研磨耗時 | 加工技術成熟 |
| 主要功率元件 | SiC MOSFET、SiC蕭特基二極體 | IGBT、超接面MOSFET、各類二極體 |
| 擅長的耐壓範圍 | 650V～3.3kV左右 | 數十V～600V左右（IGBT也可對應數kV的高耐壓） |
高耐壓為何能轉化為低損耗
功率元件在關閉狀態下必須承受高電壓，在導通狀態下則須以低損耗讓電流通過。承受高電壓的是稱為漂移層、摻雜濃度較低的區域。材料的崩潰電場越高，就能以越薄、且摻雜濃度越高的漂移層承受相同電壓。漂移層越薄、濃度越高，電流通過時的電阻就越小，因此崩潰電場約10倍的SiC，相較於相同耐壓的矽元件，理論上可將漂移層電阻降低2個數量級以上。這就是SiC能減少電力轉換損耗的根本原因。
在切換與高溫操作上的優勢
以矽實現高耐壓的IGBT，雖然同時利用電子與電洞來降低電阻，但關閉時殘留的載子在排出之前電流會持續流動，形成尾電流，使切換損耗變大。SiC即使在高耐壓下也能使用單極型的MOSFET，幾乎不會產生這種損耗，可在高頻下操作。提高頻率可以縮小電感與電容，進而讓整個裝置小型化。此外，能隙寬使漏電流在高溫下也不易增加，熱傳導率高則容易散熱，因此可以簡化散熱系統。
晶圓昂貴且尺寸小的原因
矽單晶以從熔液中拉晶的CZ法，可有效率地製作直徑300mm的低缺陷晶體。SiC在常壓下不會熔化而是直接昇華，因此要在超過2,000℃的高溫下使SiC原料昇華，再於晶種上重新結晶，以昇華法（改良Lely法）成長晶體。成長速度比矽慢上好幾個數量級，微管與基面差排等晶體缺陷也容易殘留，因此大尺寸化與良率提升都需要時間。再加上SiC非常硬，晶錠的切割與研磨也很耗時。基於這些原因，SiC晶圓比同面積的矽晶圓昂貴許多。
製程的差異
SiC中的雜質幾乎不會熱擴散，因此pn接面的形成仰賴離子佈植。為了抑制佈植造成的晶格損傷，需要在晶圓加熱到數百℃的狀態下佈植，之後再以超過1,600℃的高溫進行活化退火，必須使用專用設備。此外，SiC經熱氧化形成的閘極氧化層，介面容易殘留源自碳的缺陷，導致MOSFET的通道遷移率遠低於矽，這是一大課題。基面差排若延伸到磊晶層，也會成為通電時特性劣化的雙極劣化原因，因此在磊晶成長階段的缺陷控制也很重要。
總結（該選哪一種）
耐壓在600V左右以下、重視成本的用途，採用成熟的矽MOSFET或IGBT較為合理。像電動車驅動用逆變器、快速充電器、太陽能發電的功率調節器這類需要高耐壓、又想減少損耗與裝置尺寸的用途，則以SiC較有利。判斷的關鍵在於，SiC元件較高的價格能否藉由降低損耗，以及散熱系統與被動元件的小型化來回收。