載子濃度是半導體單位體積中存在的自由電子或電洞的數量，單位為 cm⁻³。電子濃度記為 n，電洞濃度記為 p。與電阻率、遷移率並列，是表徵半導體材料最基本的物理量之一。
在不含雜質的本質半導體中，電子與電洞成對產生，因此 n = p = n_i（本質載子濃度）。矽的 n_i 在室溫（300K）下約為1×10¹⁰cm⁻³，與矽原子密度5×10²²cm⁻³相比，不到1兆分之1。純矽幾乎不導電，原因就在此。此外在熱平衡狀態下，無論是否摻雜，np = n_i² 的關係（質量作用定律）恆成立。
實用半導體的載子濃度由摻雜決定。加入 N_d 施體的 n 型，若假設常溫下完全游離，可近似為 n ≒ N_d；加入受體的 p 型則可近似為 p ≒ N_a。元件使用的範圍大致為10¹⁵～10²⁰cm⁻³，源極、汲極等需要低電阻的區域做成高濃度，功率元件耐壓層等需要擴大空乏區的區域則做成低濃度。
溫度相依性分為3個區域：極低溫下摻雜物無法完全游離、載子被凍結的區域（freeze-out），常溫附近由摻雜濃度決定、不隨溫度變化而平坦的外質區域，以及高溫下熱激發產生的本質載子超過雜質來源載子的本質區域。元件工作溫度的上限，取決於進入這個本質區域的溫度。能隙較寬的 SiC 與 GaN 之所以耐高溫工作，是因為本質載子開始增加的溫度較高。
量測有多種手法。霍爾效應量測可直接求出電性活化載子的濃度，C-V 量測則由空乏區的擴展求出深度方向的分布。SIMS 也會使用，但它量測的是化學上的摻雜物原子濃度，需注意它也會計入未進入晶格位置、在電性上不起作用的原子。