載子是指在半導體中運送電荷、使電流流動的粒子，正式名稱為電荷載子。半導體的載子有2種：帶負電的電子，以及電子離開後留下的空位表現得像帶正電粒子的電洞（hole）。在n型半導體中，電子是多數載子、電洞是少數載子；p型半導體則相反。
載子的數量（載子濃度）由摻雜與溫度決定。矽在室溫下的本質載子濃度僅約1×10¹⁰cm⁻³，透過摻雜可增加到10¹⁵～10²⁰cm⁻³左右。載子的移動難易度以遷移率表示，在矽中電子（約1,400cm²/V·s）的移動能力約為電洞（約450cm²/V·s）的3倍，因此相同尺寸下nMOS能比pMOS流通更大的電流。導電率以σ＝q（nμₙ＋pμₚ）表示，由載子濃度與遷移率的乘積決定。載子的流動有受電場牽引的漂移與因濃度差而擴散的擴散兩種，電子與電洞相遇而消失的復合，以及被缺陷能階捕獲（載子陷阱）也會左右元件特性。
在MOSFET中，以閘極電壓將載子聚集到通道以開關電流。在pn接面二極體、太陽電池、LED中，少數載子的注入與復合是動作的核心。載子復合前的平均時間稱為生命週期（lifetime），也用於評估晶圓的結晶品質與金屬汙染。此外，在半導體製造現場，盛裝並運送晶圓的容器（FOUP或晶舟盒）也稱為載具（carrier），需要依上下文區分。