遷移率（載子遷移率，mobility）是表示半導體中電子或電洞受電場作用時移動難易程度的物性值，單位為 cm²/V·s。遷移率越高，載子移動越快，電晶體的運作速度也越高。
矽的電子遷移率約為 1,400cm²/V·s，電洞約為 450cm²/V·s，電子較快。化合物半導體 GaAs、GaN 以及鍺通道的遷移率高，用於高頻・高速元件。應變矽技術與 HEMT 是提高遷移率以提升元件效能的代表例。
遷移率會因雜質散射與晶格振動（聲子）散射而降低，摻雜濃度越高、溫度越高，遷移率往往越小。在元件設計上，如何抑制遷移率下降是提升效能的關鍵。
提高遷移率的代表性技術，包括對矽晶體施加應變以改變能帶結構的應變矽，以及利用異質接面將電子與雜質分離的 HEMT。以鍺通道或 III-V 族化合物半導體作為通道的研究，也以藉由提高遷移率實現高速化為目標。