臨界電壓（Vth：Threshold Voltage，又稱門檻電壓）是使 MOSFET（場效電晶體）導通所需的最小閘極電壓。當閘極電壓超過 Vth，通道區域會形成反轉層（電流路徑），電流開始從源極流向汲極。Vth 是決定電晶體開關動作、功耗與速度最基本的參數之一。
Vth 低時，電晶體能以較小的閘極電壓導通，有利於高速運作，但關閉時的漏電流增加，使待機功耗變大。反之，Vth 高時漏電流減少，但運作變慢。為管理此取捨，先進邏輯會在1顆晶片內製作多種 Vth（Multi-Vt：高速用的 LVT、低漏電用的 HVT 等），並依電路區塊進行最佳化。
Vth 透過閘極絕緣膜的厚度與材料（High-k）、閘極電極的功函數（金屬閘極）、通道的摻雜濃度等進行設計與調整。在 HKMG（High-k／金屬閘極）技術中，藉由功函數金屬的選擇分別控制 nMOS 與 pMOS 的 Vth。微縮越推進，抑制製造變異造成的 Vth 波動（隨機變異）就越成為良率的關鍵。
當短通道效應（SCE）變得顯著時，會出現汲極電壓使 Vth 下降的 DIBL 等現象，使關閉電流難以控制。這正是促使電晶體轉向 FinFET 與 GAA（環繞式閘極）等立體結構的根本原因；Vth 的穩定控制是微縮時代電晶體設計的核心課題。