霍爾效應量測（霍爾量測）是對試片通電流的同時施加磁場並量測霍爾電壓，以求出載子極性、載子濃度與遷移率的半導體基本電性評估手法。與電阻率量測搭配，即可一次分別取得這3項數值。
掌握「為什麼光有電阻率還不夠」，就能理解這個手法的定位。半導體的電阻率 ρ = 1/(qnμ)，只由載子濃度 n 與遷移率 μ 的乘積決定。也就是說，即使電阻率相同，也無法區分「載子多但不易移動的材料」與「載子少但很容易移動的材料」。霍爾效應量測能獨立求出 n，因此可由 μ = 1/(qnρ) 單獨求出遷移率。這是四點探針法等電阻率量測做不到的。
實際量測的標準做法是與范德堡法搭配。在試片四個角落設置電極，先在零磁場下求出電阻率，再施加磁場量測對角端點間的霍爾電壓。此時分別反轉磁場方向與電流方向，共進行8種量測並取平均。這是為了抵消熱電動勢（席貝克效應、能斯特效應）及電極位置偏差造成的偏移電壓；若省略這個步驟，遷移率有時會偏差數成。
一邊改變溫度一邊量測，可取得的資訊會更多。從液態氮溫度（77K）掃描到數百 K，由載子濃度的溫度相依性可讀出施體、受體的活化能與補償程度，由遷移率的溫度相依性可判別主導的散射機制（低溫為雜質散射，高溫為晶格振動造成的散射）。這是調查新材料特性時的標準量測方式。
適用範圍涵蓋塊材基板、磊晶層、薄膜、二維材料等，相當廣泛，但也有其極限。在導電性基板上的磊晶層這類並存並聯導電路徑的結構中，量測值會成為兩者的平均，無法進行單純的分析。此外在遷移率極低的材料中，霍爾電壓本身很小，確保 S/N 比便成為課題。強磁場與交流霍爾量測，就是用來因應這個問題的方法。