量測設備是什麼

量測設備是精密測量晶圓製程中圖形尺寸、膜厚、疊對（位置偏移）等數值的設備群。依測量對象使用 CD-SEM（Critical Dimension SEM）、疊對量測設備等專用設備。微縮越進展，容許誤差越嚴格，需要以奈米以下的精度進行測量與管理。量測設備以數值確認「製程是否依設計執行」，為設備調整與製程最佳化提供重要回饋。檢測設備（Inspection）是「判定有無缺陷」，而量測設備則專注於「測量尺寸、位置等數值」。兩者在製程品質管理中如同車之兩輪般運作。

細分類 11 類

主要細分類

•CD-SEM
•異物・污染分析設備
•離子佈植劑量量測設備
•橢圓偏光儀（Ellipsometer）
•薄膜成分分析設備（XRF/FTIR）
•平坦度・晶圓厚度量測設備
•載子壽命量測設備
•光學關鍵尺寸量測設備（OCD）
•疊對量測設備
•片電阻量測設備
•階高・表面粗糙度量測設備

重點整理

精密測量圖形尺寸、膜厚、疊對等數值

以奈米以下的精度確認製程是否依設計執行

為設備調整與製程最佳化提供重要回饋

與檢測設備為互補關係（量測測量數值，檢測判定有無缺陷）

相關用語

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比較文章

前段製程設備的其他分類

清洗設備是在半導體製造製程中去除晶圓表面微粒（微粒子）、金屬雜質、有機物、原生氧化層等汙染物質，使用頻率最高的重要前段製程設備。

CMP（Chemical Mechanical Planarization：化學機械研磨）設備結合化學作用與機械研磨，將晶圓表面的凹凸平坦化至奈米等級，是前段製程的核心設備。

薄膜沉積設備

薄膜沉積設備是在晶圓表面形成絕緣膜、導電膜、半導體膜等薄膜的前段製程重要設備，膜厚從數百奈米到原子等級。

蝕刻設備是從晶圓上的薄膜去除不需要的部分、形成微細電路圖形的前段製程核心設備。

檢測設備是偵測晶圓製程各步驟所產生的缺陷，以提升良率並確保品質的設備群。

離子佈植機

離子佈植機是將雜質離子（硼、磷、砷等）以高能量打入矽等半導體基板，精密控制電晶體源極、汲極、井區的導電型與濃度的前段製程關鍵設備。

曝光機（微影設備）是利用光將光罩（reticle）上的電路圖形轉印至晶圓上光阻的設備群。

光罩製造設備

光罩製造設備（光罩／reticle 製造設備）是製造、檢測與修補半導體曝光製程所用光罩（reticle）的設備群。

熱處理設備

熱處理設備是將半導體晶圓加熱至高溫（約 200～1100°C），進行雜質活化、氧化膜形成、矽化物形成、退火（晶格缺陷修復）等熱反應的前段製程重要設備群。

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