跳躍傳導（Hopping Conduction）是指電子並非在擴展至整個晶體的能帶中自由移動，而是從空間上局域化（被侷限在特定位置）的狀態，跳到（hop）附近另一個局域狀態，藉此使電流流動的傳導機制。在一般的晶體半導體中，電子會在導帶中像波一樣擴展並移動；但在原子排列紊亂的物質或雜質稀疏分布的狀態下，電子會局域在各個位置，只能借助熱能跳到鄰近位置。
電子局域化的原因之一，是紊亂使電子波互相抵消而被侷限的安德森局域化。跳躍傳導發生在非晶矽、非晶絕緣膜、有機半導體，以及含大量雜質之半導體的低溫狀態等。由於跳躍需要熱的輔助，溫度越高越容易導電，遷移率也遠小於晶體半導體。已知在低溫下，電子不只會跳到鄰近位置，也會跳到能量相近的遠處位置，發生可變範圍跳躍（variable range hopping），使傳導率呈現與溫度1/4次方相關的特有依存性。
在半導體元件中，跳躍傳導作為漏電流的機制很重要。在氮化矽膜或高介電常數膜等含有大量缺陷能階的絕緣膜中，電子會沿著缺陷能階移動，造成漏電流或電荷流失。相變化記憶體的非晶狀態，以及電阻式記憶體高電阻狀態的導電，有時也以跳躍傳導來說明。在有機EL（OLED）與有機電晶體中，電荷在分子間跳躍是主要的傳導機制，提高遷移率的材料設計也持續推進中。