PAI（Pre-Amorphization Implant：預非晶化佈植）是在佈植摻雜物之前，先打入鍺（Ge）或矽（Si）等電中性的重離子，刻意使表面層成為非晶質的前處理。目的在於讓後續的摻雜物佈植不產生通道效應，並提高活化率。
通道效應是離子沿著晶軸的空隙穿過的現象，因此只要先破壞晶體結構，它就不會發生。只要以PAI使表面非晶化，接著佈植的硼等摻雜物在深度方向就會呈現單純的高斯分布，得到淺而陡峭的接面分布。這比依賴傾斜角更確實，在高深寬比結構中想避免遮蔽效應時也較有利。
在活化方面也有效果。非晶化的層在退火時會以下方的晶體為晶種，藉由SPE（Solid Phase Epitaxy：固相磊晶成長）在低溫下回復為晶體。在這個再結晶過程中，摻雜物原子會被納入晶格位置，因此能在比一般更低的溫度下得到高活化率，有助於降低熱預算。
另一方面，PAI也有代價。非晶層與下方晶體的界面附近會聚集過量的間隙矽原子，退火後仍會以差排環的形式殘留為EOR（End of Range）缺陷。這個缺陷層若落在接面的空乏區內，就會成為接面漏電流的原因，因此必須讓非晶層的深度比接面足夠深（把缺陷放在空乏區之外）。
在先進邏輯的淺接面形成中，結合PAI、摻雜物佈植、尖峰退火或閃光／雷射退火的一連串配方已成為標準。之所以使用Ge，是因為它與矽同族，不會造成汙染，而且較重，能有效率地非晶化。