點缺陷是晶體中原子1個（或極少數）位置上產生的紊亂。代表性的有：原本應有原子的晶格點空出的空位（vacancy）、多餘原子擠進晶格點之間空隙的間隙原子（interstitial），以及不同種類原子佔據晶格點的取代型雜質。
點缺陷與差排等其他晶體缺陷的不同之處在於，即使在熱平衡狀態下也必定以一定比例存在。若形成1個點缺陷所需的能量（形成能）為 E_f，其濃度與 exp(−E_f/kT) 成正比，隨溫度急遽增加。在矽熔點附近被吸收的空位或間隙矽，在晶體冷卻過程中未完全消失而成為過飽和，就是 COP 等長晶時導入缺陷的成因。
點缺陷在半導體製造中之所以重要，是因為它居中促成摻雜物的擴散。矽中的硼或磷主要與間隙矽成對移動，銻則主要經由空位移動。因此當氧化或離子佈植使間隙矽過剩時，硼的擴散會暫時大幅加速。這種暫態增強擴散是製作淺接面的一大障礙。
離子佈植也是大量產生點缺陷的製程。高速離子將矽原子從晶格點撞出，接連產生空位與間隙原子的對（Frenkel 對）。佈植劑量大時晶體會被破壞而非晶化，在熱處理再結晶時，殘留在非晶層邊緣的間隙原子會形成差排環（EOR 缺陷）。佈植後的退火，是在活化摻雜物的同時，修復這些損傷的製程。
點缺陷會在能隙中形成能階，成為載子捕獲或再結合的中心。特別是鐵、銅、鎳等金屬雜質會形成深能階，大幅縮短少數載子的生命期，因此要求以極低濃度管理。在化合物半導體中，原子的缺失或互換（反位缺陷）左右電性，GaAs 的半絕緣性就是與稱為 EL2 的深能階點缺陷有關而實現的。