結論：バッチ洗浄（浸漬方式）と枚葉洗浄（スピン方式）の違いは？
バッチ洗浄と枚葉洗浄の最大の違いは「一括処理か1枚ずつか」です。バッチ洗浄は25〜50枚のウェハを薬液槽に一括浸漬するためスループットが高くコストも低い一方、槽内の薬液濃度・温度分布の影響を受けやすくなります。枚葉洗浄は1枚ずつスピンさせながら薬液を供給するため、遠心力による高い均一性とパターン損傷の制御、薬液切り替えの柔軟性に優れ、20nm以下の先端ノードでは不可欠です。現代のファブは工程に応じて両者を使い分けます。
比較表
バッチ洗浄（浸漬方式）枚葉洗浄（スピン方式）
| 観点 | バッチ洗浄（浸漬方式） | 枚葉洗浄（スピン方式） |
|---|---|---|
| 処理単位 | 25〜50枚を一括処理（カセット単位） | 1枚ずつ処理（Single Wafer） |
| スループット | 高い（1バッチで多数枚を同時処理） | 低い（1枚あたりの処理時間は長い） |
| 薬液消費量 | 多い（槽全体の薬液交換が必要） | 少ない（使い捨てノズル供給で節約可能） |
| 洗浄均一性 | 槽内の薬液濃度・温度分布に影響されやすい | 高い均一性（スピンによる遠心力で均一供給） |
| パターン損傷リスク | 微細パターン・高アスペクト比では液体の表面張力でパターン倒壊リスクあり | スピン乾燥・IPA蒸気乾燥でパターン損傷を最小化 |
| 薬液切り替え | 槽交換が必要で切り替えに時間がかかる | ノズル切り替えで迅速に対応可能 |
| 先端ノード適合性 | 成熟ノード（65nm以上）向け | 先端ノード（20nm以下）では必須 |
| 代表装置メーカー | SCREEN（主要シェア）・TEL・Lam Research | SCREEN・TEL・Lam Research（全社が両方式を展開） |
先端ノードで枚葉洗浄が主流になった理由
10nm以下の先端ノードでは、高アスペクト比のゲート構造・3D NANDのホール構造・FinFETのフィン間隔が微細化し、バッチ洗浄の槽浸漬による表面張力がパターン倒壊（Pattern Collapse）の原因になります。枚葉洗浄ではIPA蒸気乾燥（Marangoni乾燥）やスピン乾燥を活用してパターン倒壊を防止できます。また薬液の交差汚染防止・金属汚染管理の観点からも1枚ずつ管理できる枚葉方式が有利です。SCREENホールディングスの枚葉洗浄装置（SU-3300等）、TELの枚葉洗浄装置が先端ファブで広く採用されています。
バッチ洗浄の競争力が残る用途
成熟ノード（130nm〜65nm）の量産ラインでは、バッチ洗浄のスループットとコスト優位は依然として大きいです。RCA洗浄（SC-1・SC-2）、HF洗浄、SPM洗浄（硫酸＋過酸化水素）のような化学的洗浄効果が主体の工程ではバッチ方式が経済的です。後工程パッケージング前のウェハ洗浄（ダイシング前・ボンディング前）でもバッチ洗浄が使われます。洗浄プロセス全般はwafer-cleaningを、エッチングとの比較はdry-etching-vs-wet-etchingを参照してください。