マイクロバンプ（Micro Bump）は、チップとチップ、またはチップとインターポーザーを電気的に接続するための小型はんだ（または金属）バンプです。直径が通常10〜50μmで、従来のC4バンプ（直径100〜200μm）より大幅に微細化されています。高帯域幅・高密度配線が可能で、2.5D/3D実装（HBM積層、CoWoS、SoIC等）で広く使われています。
マイクロバンプの材料は主にSn系はんだ合金（SnAg、SnAgCu）またはCu（Cuピラー＋Snキャップ）が使われます。Cuピラーバンプ（Cu Pillar Bump）はCuの柱の上にSnAgはんだをキャップした構造で、微細ピッチ（20μm以下）での接続信頼性が高く、先端パッケージの標準構造となっています。
マイクロバンプ形成プロセスは、①RDL（再配線層）形成→②シード層（Cu/Ti）成膜（スパッタリング）→③フォトレジストパターニング→④Cu/Snメッキ（電解メッキ）→⑤レジスト剥離→⑥シード層エッチング→⑦リフロー（バンプ形成）という手順で行われます。バンプ高さ・直径・ピッチの均一性が接合信頼性を決定します。
マイクロバンプの信頼性課題として、熱疲労（CTE不一致による繰り返し熱変形）、電気マイグレーション（大電流密度での金属原子移動）、ブリッジング（バンプ間短絡）があります。これらを克服するために、アンダーフィル（樹脂充填）による機械的補強や、より信頼性の高いCuハイブリッドボンディングへの移行が進んでいます。
マイクロバンプ関連の装置・材料サプライヤーとして、バンプ形成装置（東京エレクトロン・Lam Research）、フリップチップボンダー（ASE、Besi、東レエンジニアリング）、はんだ材料（千住金属、Indium Corporation）、検査装置（KLA、Onto Innovation）が主要プレイヤーです。
