フリップチップとは

Flip Chip

最終更新:2026-10-07・パッケージング装置|用語集のExcel・PDF版をダウンロード

定義・解説

フリップチップ(Flip Chip)は、半導体チップの回路形成面(アクティブ面)を下向きにして基板に直接実装する接続技術です。従来のワイヤーボンディング(チップ上面から金属細線で基板に接続)とは異なり、チップの端子(パッド)上に「バンプ」と呼ばれる突起状の接続電極を形成し、基板の電極と直接接合します。

フリップチップの最大の利点は、接続距離が短くなることによる電気的性能の向上です。ワイヤーボンディングでは配線長が数mm〜10mm程度になりますが、フリップチップでは数十〜数百μmと大幅に短縮されます。これにより、伝送遅延・インダクタンス・信号劣化が低減され、高速信号伝送(10GHz以上)が可能になります。また、チップ全面に端子を配置できるため、I/O(入出力)端子数を大幅に増やせます。

バンプ材料には、はんだバンプ(Sn-Ag、Sn-Ag-Cu)、金バンプ(Au stub bump)、銅ピラー(Cu Pillar)バンプが使われます。特に銅ピラーバンプ(Cu Pillarにはんだキャップを設けたもの)は微細ピッチ化と高電流密度対応に優れており、先端ロジック(CPU、GPU、AI SoC)の実装に広く採用されています。

フリップチップ実装はCOB(Chip on Board)、FC-BGA(フリップチップ-ボールグリッドアレイ)パッケージで広く使われるほか、CoW(Chip on Wafer)・WoW(Wafer on Wafer)のような3D/2.5D先端パッケージングへと発展しています。アンダーフィル(チップと基板の隙間に充填する樹脂)の注入は熱ストレス緩和と信頼性確保に必須です。

フリップチップ実装装置の主要メーカーはASMパシフィック(ASMPT)、ベシー(Besi)、東レエンジニアリング、クラインのカウルスなどです。バンプ形成装置(めっき、スパッタ、印刷)ではApplied Materials、東京エレクトロン(TEL)などが関連装置を提供しています。

図解

フリップチップ実装とワイヤボンディングの比較
CPU・GPUなど、端子が多く速さが必要なチップで使われる。

紛らわしい言葉の切り分け

ハイブリッドボンディングとフリップチップ。違いはバンプを使うかどうかです。ハイブリッドボンディングは銅の電極どうしを直接接合するためバンプが要らず、接続ピッチを桁違いに細かくできます。フリップチップははんだバンプで接合する成熟した方法です。 比較記事 →

この用語を扱う職種

設計・デバイス開発SI/PIエンジニア(シグナル・パワーインテグリティ)後工程(実装・テスト)組立工程エンジニア(アセンブリ)

設備の製造メーカー

Besiオランダ

オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボ…

ASMPT香港

SMT(表面実装技術)と半導体パッケージング装置の世界的メーカー。先端パッケージングからSMT製造まで包括的な…

この用語に関連する製品

型番は各社の公式製品ページで確認したものです。出典のリンクは各製品ページに載せています。

FC-BGA 基板イビデン(IBIDEN)・パッケージ基板(FC-BGA・ABF基板)
FC-BGA 基板京セラ・パッケージ基板(FC-BGA・ABF基板)
FC-BGA サブストレートTOPPANホールディングス(Toppan)・パッケージ基板(FC-BGA・ABF基板)
DLL®/DLL3®新光電気工業・パッケージ基板(FC-BGA・ABF基板)
FAD5100S武蔵エンジニアリング・アンダーフィル装置
Datacon 8800 FC QUANTUM advXBesi・フリップチップボンダー
Datacon 8800 CHAMEO advancedBesi・ウェハレベルパッケージング
Esec 2100 FC hSBesi・フリップチップボンダー

関連カテゴリ

同じトピックの用語

先端パッケージング・パッケージング のトピックで関連する用語です。

同じトピックの企業

DISCO日本Kulicke & Soffa米国EV GroupオーストリアSuss MicroTecドイツ新川日本ASE Technology Holding台湾

比較・違いを学ぶ

CoWoSとInFOの違い(TSMC先進パッケージング比較)
CoWoSとInFOは、いずれもTSMCが提供する先進パッケージング技術です。CoWoSはシリコンインターポーザーを介して複数チップを横に並べ高密度接続する2.…
→
TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度…
→
HBM2EとHBM3の違い(世代別スペック比較)
HBM(High Bandwidth Memory)はDRAMを縦に積層しTSV(Through-Silicon Via)で接続した超高帯域メモリです。AI学習…
→
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径…
→
2.5Dパッケージングと3D ICパッケージングの違い
ムーアの法則の鈍化に伴い、異なる機能のチップを高密度で組み合わせる「先進パッケージング」が半導体の性能向上の主戦場になっています。2.5D実装(CoWoS・In…
→
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違い
半導体パッケージの封止(モールド)工程には、金型内にEMC(エポキシモールドコンパウンド)を注入するトランスファーモールドと、金型内にEMCを直接充填・加圧する…
→

出典・参考資料

  1. イビデン(IBIDEN)「FC-BGA 基板 製品ページ」(2026/10/07 確認)
  2. TOPPANホールディングス(Toppan)「FC-BGA サブストレート 製品ページ」(2026/10/07 確認)
  3. 新光電気工業「DLL®/DLL3® 製品ページ」(2026/10/07 確認)
← 用語集に戻る用語集をExcel・PDFで使う →