GLOSSARY

C4バンプ(はんだバンプ)とは

C4 Bump / Controlled Collapse Chip Connection
最終更新:2026-07-07フリップチップボンダー

定義・解説

C4バンプ(C4:Controlled Collapse Chip Connection)は、フリップチップ実装で古くから使われているはんだ製の突起状電極で、チップの電極パッド上に形成し、リフロー(加熱溶融)によって基板側のパッドと自己整合的に接合する。IBMが開発した技術に由来し、フリップチップ実装の基盤技術として広く普及した。

C4バンプの直径はおおむね75〜125μm程度で、先端パッケージ向けの微細ピッチ銅ピラーバンプ・マイクロバンプ(直径10〜50μm)と比べるとバンプ径・ピッチともに大きい。溶融時の表面張力によりチップと基板が自己整合的に位置合わせされる「セルフアライメント効果」が特徴で、実装精度の要求を緩和できる。

材料は環境規制(RoHS)対応により、従来の高鉛はんだ(Sn-Pb)から鉛フリーはんだ(Sn-Ag・Sn-Ag-Cu)へ移行している。FC-BGAパッケージのように比較的I/Oピッチが大きいパッケージでは、今もC4バンプ(はんだバンプ)が標準的に使われており、微細ピッチが要求される先端2.5D/3Dパッケージでは銅ピラーバンプへの置き換えが進んでいる。

バンプ形成にはめっき法・ボールドロップ法・印刷法があり、フリップチップ実装装置はASMPT・Besiなどが提供している。C4バンプ接合後はアンダーフィル樹脂の充填により、熱応力を緩和し接合部の信頼性を高める工程が続く。

設備の製造メーカー

ASMPT香港

SMT(表面実装技術)と半導体パッケージング装置の世界的メーカー。先端パッケージングからSMT製造まで包括的な…

企業詳細を見る →
Besiオランダ

オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボ…

企業詳細を見る →

関連カテゴリ

フリップチップボンダー

関連用語

フリップチップとは →マイクロバンプとは →銅ピラーバンプとは →アンダーフィルとは →フラックス(はんだ付け用)とは →

同じトピックの用語

パッケージング のトピックで関連する用語です。

ダイボンダー 2とは →ワイヤボンダーとは →WLCSP(ウェハレベルチップスケールパッケージ)とは →QFP(クアッドフラットパッケージ)とは →QFNパッケージとは →BGA(ボールグリッドアレイ)とは →リードフレームとは →ボールボンディングとは →

同じトピックの企業

DISCO日本Kulicke & Soffa米国新川日本カイジョー日本東京精密(Accretech)日本Nordson米国

比較・違いを学ぶ

TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違い
半導体パッケージの封止(モールド)工程には、金型内にEMC(エポキシモールドコンパウンド)を注入するトランスファーモールドと、金型内にEMCを直接充填・加圧する
BGAとQFNの違い(パッケージ形式の比較)
BGAは底面全体にはんだボールを格子状に配置し数百〜数千のI/Oを確保する高ピン数向けパッケージ、QFNは側面リードを持たず底面周辺の露出パッドで接続する小型・
SiPとSoCの違い(集積アプローチの比較)
SoCはCPU・GPU・メモリ・I/Oなどを単一のシリコンダイに集積するアプローチ、SiPは別々に作った複数のダイや受動部品を1つのパッケージ内に統合するアプロ
WLCSPとFOWLPの違い(ウェハレベルパッケージングの比較)
WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型のウェハレベルパッケージ、FOWLPはチップ外側へ再配線を広げて端子数を増やすファンアウト型です。いずれもパッ
← 用語集に戻る