最終更新 2026-10-19

C4バンプとは(はんだバンプ)

C4 Bump / Controlled Collapse Chip Connection
目次7項目
  1. 定義・解説
  2. 図解
  3. 設備の製造メーカー
  4. 関連する製品
  5. 関連用語
  6. 比較・違いを学ぶ
  7. 出典・参考資料

定義・解説

C4バンプ(C4:Controlled Collapse Chip Connection)は、フリップチップ実装で古くから使われているはんだ製の突起状電極で、チップの電極パッド上に形成し、リフロー(加熱溶融)によって基板側のパッドと自己整合的に接合する。IBMが開発した技術に由来し、フリップチップ実装の基盤技術として広く普及した。

C4バンプの直径はおおむね75〜125μm程度で、先端パッケージ向けの微細ピッチ銅ピラーバンプ・マイクロバンプ(直径10〜50μm)と比べるとバンプ径・ピッチともに大きい。溶融時の表面張力によりチップと基板が自己整合的に位置合わせされる「セルフアライメント効果」が特徴で、実装精度の要求を緩和できる。

材料は環境規制(RoHS)対応により、従来の高鉛はんだ(Sn-Pb)から鉛フリーはんだ(Sn-Ag・Sn-Ag-Cu)へ移行している。FC-BGAパッケージのように比較的I/Oピッチが大きいパッケージでは、今もC4バンプ(はんだバンプ)が標準的に使われており、微細ピッチが要求される先端2.5D/3Dパッケージでは銅ピラーバンプへの置き換えが進んでいる。

バンプ形成にはめっき法・ボールドロップ法・印刷法があり、フリップチップ実装装置はASMPT・Besiなどが提供している。C4バンプ接合後はアンダーフィル樹脂の充填により、熱応力を緩和し接合部の信頼性を高める工程が続く。

図解

接続方式ごとのピッチの比較(BGA・C4バンプ・マイクロバンプ・ハイブリッドボンディング)
値は代表的な目安。フリップチップ実装の基盤になった技術。

この用語を扱う職種

後工程(実装・テスト)パッケージ基板エンジニア

設備の製造メーカー

この用語に関連する製品

型番は各社の公式製品ページで確認したものです。出典のリンクは各製品ページに載せています。

Endura® Underbump Metallization PVDApplied Materials・ウェハレベルパッケージング

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出典・参考資料

  1. Applied Materials「Endura® Underbump Metallization PVD 製品ページ」(2026/10/07 確認)