プラズマエッチング（Plasma Etching）は、真空チャンバー内でプラズマを生成し、そのプラズマ中の活性種（ラジカル・イオン）によってウェハ表面の材料を除去するエッチング手法の総称です。RIE（反応性イオンエッチング）を含むドライエッチング技術全体を指す広義の用語として使われることもあります。
プラズマエッチングの最大の特徴は、プラズマ条件の調整によってエッチングの異方性・選択比・速度を広範囲に制御できる点です。プラズマ源（CCP、ICP、マイクロ波ECR）、ガス圧力、RFバイアスパワー、ガス組成・流量・温度を変化させることで、様々な材料・パターン形状・寸法の要求に対応できます。
主な適用材料と代表的なエッチングガスの例：シリコン（Si）にはSF₆/Cl₂/HBr、シリコン酸化膜（SiO₂）にはC₄F₈/CF₄/CHF₃系フルオロカーボン、シリコン窒化膜（SiN）にはCHF₃/CF₄系、タングステン（W）にはSF₆/Cl₂、銅（Cu）にはCl₂/N₂、ポリシリコン（Poly-Si）にはCl₂/HBr/O₂系などが使われます。
先端ノードでの最重要技術課題は、「マイクロローディング効果」（パターン密度によるエッチング速度ムラ）・「ARDE（Aspect Ratio Dependent Etching）」（アスペクト比増加でエッチング速度が低下）・「ノッチング・ボーイング」（側壁形状の変形）の制御です。これらを克服するために、パルスプラズマ・温度制御・新規エッチング剤の開発が進んでいます。
ALE（Atomic Layer Etching）は原子層1層ずつ精密に除去する次世代プラズマエッチング技術で、GAAナノシート形成（SiGe選択除去）・High-kゲートメタルのエッチング・EUV後のパターン精密化（EUVパターン修正）などに実用化が進んでいます。装置メーカーはLam Research・東京エレクトロン・Applied Materialsが市場をリードしています。