ALE（Atomic Layer Etching：原子層エッチング）は、エッチングを原子層1層単位で自己制御的に行う技術です。ALD（原子層堆積）の「成膜版」に対応する「除去版」として位置づけられ、表面の化学的修飾と除去を交互にサイクルすることで、原子層レベルの精度と高い選択性を実現します。3nm以降の超微細加工において、従来の連続プラズマエッチングでは達成困難な寸法精度・形状制御性を提供します。
ALEには大きく2方式があります。プラズマALE（等方性／異方性ALE）は、改質ステップ（表面を反応性ガスで化学修飾）と除去ステップ（低エネルギーイオン照射で修飾層のみを揮発除去）を繰り返します。サーマルALE（熱ALE）は低温・非プラズマ環境で化学反応のみを利用し、高アスペクト比構造やデリケートな材料に適しています。FinFETのゲートスペーサーエッチング、GAAナノシートのシリコン選択的除去、EUVレジストのトリミングなどに応用されています。
従来のRIEと比較したALEの優位点は、エッチング量の原子層単位制御・高選択比（隣接材料をほとんどエッチングしない）・ダメージフリー加工の3点です。サイクルタイムが長くスループットが課題ですが、クリティカルな工程への選択的適用で解決されています。主要装置メーカーはLam Research（Kiyo系ALE機能付きエッチャー）、東京エレクトロン（Tactras）、Applied Materialsが開発を主導しています。
