IEDM 2026(国際電子デバイス会議)
トランジスタ・メモリ・新材料の最先端の成果が発表される、半導体デバイス分野の最高峰の国際会議。
01開催概要
- 正式名称
- IEEE International Electron Devices Meeting
- 主催
- IEEE Electron Devices Society
- 次回の会期
- 2026年12月12日〜12月16日(水)(開幕まであと45日)
- 開催地
- サンフランシスコ(米国)・Hilton San Francisco Union Square
- 例年の開催
- 12月頃・米国(サンフランシスコ)
- 分野
- デバイス・プロセス/信頼性・メモリ
- 格付け
- 分野の最高峰ロジック・メモリの大手メーカーと研究機関が次の世代のデバイスを最初に発表する場で、デバイス分野の中心にあたるため。格付けの決め方
- 公式サイト
- ieee-iedm.org(2026/10/24 確認)
02IEDMはどんな学会か
IEDMは、半導体デバイスの研究開発の成果が発表される国際会議です。毎年12月に米国で開かれ、ロジックのトランジスタ、DRAMやNANDなどのメモリ、パワーデバイス、センサーまで、デバイスの幅広い分野を扱います。
ロジックとメモリの大手メーカーや研究機関が、次の世代のプロセスや試作の結果を発表するため、数年先に量産される技術の方向を知る手がかりになります。近年はGAA(ナノシート)トランジスタの次に来るCFETや、裏面から電源を供給する配線、3D NANDの積層の発表が注目されています。
03注目の技術
IEDMでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。
- GAA(Gate-All-Around)
GAA(Gate-All-Around)は、トランジスタのゲート電極がチャネル(電流路)を四方向(全周)から包囲する立体的なトランジスタ構造です。
- CFET(相補型FET)
CFET(Complementary FET:相補型電界効果トランジスタ)は、NチャネルFET(NFET)とPチャネルFET(PFET)を垂直方向に積層した3次元トランジスタ構造です。
- BSPD(裏面電源配電ネットワーク)
BSPD(Backside Power Delivery Network)は、半導体チップのウェハ裏面(バックサイド)から電源・グラウンド配線を供給する技術です。
- 3D NAND
3D NAND(3D NAND Flash)は、フラッシュメモリセル(NAND型)を平面ではなく垂直方向(Z軸方向)に多層積層した構造のNAND型フラッシュメモリです。
発表の多い企業
04同じ分野の学会
学会一覧へ →- 国際信頼性物理シンポジウム(IRPS)2027年3月21日〜・サンディエゴ(米国)
- VLSIシンポジウム(VLSI)2027年6月20日〜・京都
- 固体素子・材料コンファレンス(SSDM)2027年9月7日〜・大阪
- 応用物理学会 春季学術講演会(応物春季)2027年3月16日〜・東京
- 応用物理学会 秋季学術講演会(応物秋季)例年9月頃
- 国際メモリワークショップ(IMW)2027年5月9日〜・モントレー(米国)
- 電子デバイス技術・製造会議(EDTM)2027年3月8日〜・福岡
- 原子層堆積国際会議・原子層エッチング国際ワークショップ(ALD/ALE)2027年6月20日〜・ドレスデン(ドイツ)
- 欧州固体エレクトロニクス研究会議(ESSERC)2027年9月6日〜・ヘルシンキ(フィンランド)
- 欧州設計・自動化・テスト会議(DATE)2027年3月22日〜・ドレスデン(ドイツ)
- 欧州電子デバイス信頼性・故障物理・解析シンポジウム(ESREF)例年9月頃
- テスト・故障解析国際シンポジウム(ISTFA)例年10月頃
- 国際テスト会議(ITC)例年10月頃
- 化合物半導体ウィーク(CSW)2027年6月15日〜・ヴェネツィア(イタリア)
- 窒化物半導体国際会議(ICNS)例年7月頃
- 窒化物半導体国際ワークショップ(IWN)2026年11月8日〜・熊本
- IEEEアジアテストシンポジウム(ATS)2026年12月1日〜・高雄(台湾)
- BiCMOS・化合物半導体集積回路技術シンポジウム(BCICTS)例年10月頃
- 集積回路科学技術会議(CSTIC)2027年3月21日〜・上海(中国)
- デバイス研究会議(DRC)2027年6月20日〜・ミネアポリス(米国)
- 電子材料会議(EMC)例年6月頃
- EOS/ESDシンポジウム(EOS/ESD)2027年9月19日〜・リバーサイド(米国)
- IEEE欧州テストシンポジウム(ETS)2027年5月24日〜・ロンドン(英国)
- IC設計と技術国際会議(ICICDT)例年6月頃
- 分子線エピタキシー国際会議(ICMBE)例年7月頃
- マイクロエレクトロニクステスト構造国際会議(ICMTS)2027年4月5日〜・ウーディネ(イタリア)
- 固体・集積回路技術国際会議(ICSICT)2026年10月27日〜・杭州(中国)
- IEEE集積信頼性ワークショップ(IIRW)例年10月頃
- 集積回路の物理と故障解析国際シンポジウム(IPFA)例年7月頃
- InPと関連材料国際会議(IPRM)2027年6月15日〜・ヴェネツィア(イタリア)
- IEEE原子核・宇宙放射線効果会議(NSREC)2027年7月19日〜・アトランタ(米国)
- 放射線とその部品・システムへの影響会議(RADECS)例年9月頃
- IEEE半導体界面スペシャリスト会議(SISC)2026年12月9日〜・サンディエゴ(米国)
- 半導体プロセス・デバイスシミュレーション国際会議(SISPAD)例年9月頃
- IEEE VLSIテストシンポジウム(VTS)2027年4月26日〜・ナパ(米国)
- 先端半導体デバイス・マイクロシステム国際会議(ASDAM)例年10月頃
- アジア太平洋先端半導体デバイスワークショップ(AWAD)例年7月頃
- 国際半導体会議(ルーマニア)(CAS)例年10月頃
- VLSI・ナノテクノロジーの欠陥と耐故障性国際シンポジウム(DFTS)例年10月頃
- 電子デバイスと固体回路国際会議(EDSSC)例年6月頃
- 電子材料シンポジウム(EMS)2027年10月13日〜・橿原(奈良)
- Future of Memory and Storage(FMS)例年7月頃
- 政府向けマイクロ回路応用・重要技術会議(GOMACTech)2027年3月22日〜・パサデナ(米国)
- IEEE新興エレクトロニクス国際会議(ICEE)2026年12月19日〜・ベンガルール(インド)
- IEEEマイクロエレクトロニクス国際会議(IEEE ICM)2026年12月7日〜・サラワク(マレーシア)
- 電子情報通信学会 電子部品・材料研究会(CPM研究会)例年11月頃
- 電子情報通信学会 総合大会(信学総合大会)2027年3月9日〜・東京
- 電子情報通信学会 ソサイエティ大会(信学ソサイエティ大会)例年9月頃
- オンラインテストとロバストシステム設計国際シンポジウム(IOLTS)例年7月頃
- 半導体界面制御国際シンポジウム(ISCSI)例年11月頃
- 国際真空ナノエレクトロニクス会議(IVNC)例年7月頃
- 接合技術国際ワークショップ(IWJT)例年9月頃
- 半導体デバイス物理国際ワークショップ(IWPSD)例年12月頃
- 韓国半導体学術大会(KCS)2027年1月26日〜・江陵(韓国)
- 不揮発メモリワークショップ(NVMW)例年3月頃
- エレクトロニクス・フォトニクスパッケージ信頼性シンポジウム(REPP)2026年11月12日〜・ロサンゼルス(米国)
- VLSI技術・システム・応用国際シンポジウム(VLSI TSA)例年4月頃
※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。