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CONFERENCE

IEDM 2026(国際電子デバイス会議)

トランジスタ・メモリ・新材料の最先端の成果が発表される、半導体デバイス分野の最高峰の国際会議。

01開催概要


正式名称
IEEE International Electron Devices Meeting
主催
IEEE Electron Devices Society
次回の会期
2026年12月12日〜12月16日(水)(開幕まであと45日)
開催地
サンフランシスコ(米国)・Hilton San Francisco Union Square
例年の開催
12月頃・米国(サンフランシスコ)
分野
デバイス・プロセス/信頼性・メモリ
格付け
分野の最高峰ロジック・メモリの大手メーカーと研究機関が次の世代のデバイスを最初に発表する場で、デバイス分野の中心にあたるため。格付けの決め方
公式サイト
ieee-iedm.org(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02IEDMはどんな学会か


IEDMは、半導体デバイスの研究開発の成果が発表される国際会議です。毎年12月に米国で開かれ、ロジックのトランジスタ、DRAMやNANDなどのメモリ、パワーデバイス、センサーまで、デバイスの幅広い分野を扱います。

ロジックとメモリの大手メーカーや研究機関が、次の世代のプロセスや試作の結果を発表するため、数年先に量産される技術の方向を知る手がかりになります。近年はGAA(ナノシート)トランジスタの次に来るCFETや、裏面から電源を供給する配線、3D NANDの積層の発表が注目されています。

03注目の技術


IEDMでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • GAA(Gate-All-Around)

    GAA(Gate-All-Around)は、トランジスタのゲート電極がチャネル(電流路)を四方向(全周)から包囲する立体的なトランジスタ構造です。

  • CFET(相補型FET)

    CFET(Complementary FET:相補型電界効果トランジスタ)は、NチャネルFET(NFET)とPチャネルFET(PFET)を垂直方向に積層した3次元トランジスタ構造です。

  • BSPD(裏面電源配電ネットワーク)

    BSPD(Backside Power Delivery Network)は、半導体チップのウェハ裏面(バックサイド)から電源・グラウンド配線を供給する技術です。

  • 3D NAND

    3D NAND(3D NAND Flash)は、フラッシュメモリセル(NAND型)を平面ではなく垂直方向(Z軸方向)に多層積層した構造のNAND型フラッシュメモリです。

発表の多い企業

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。