当サイトでの位置づけ
後工程のテスト装置カテゴリでは、ロジック・メモリ・パワー向け ATE の包括ラインを提供する企業として、用語集のテスト関連項目からの導線が多くなります。
企業の強み
ATE市場で世界シェア50%以上のトップポジション
SoC、メモリ、パワー半導体の包括的テストソリューション
AI技術を統合した適応型テストシステム
主要製品・ソリューション
SoCテストシステム
- •V93000
- •T2000
メモリテストシステム
- •T5800
- •T5500
パワーテストシステム
- •MTe
関連装置カテゴリ
📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、アドバンテストを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
メモリ半導体・テスト装置 のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
NANDとDRAMの違いとは|速度・用途・製造プロセスを徹底比較
NANDフラッシュとDRAMはどちらも「半導体メモリ」ですが、役割・仕組み・用途が大きく異なります。DRAMは電源を切るとデータが消える揮発性メモリで、CPUの…
ウェハテストと最終テストの違い(半導体テスト工程比較)
ウェハテスト(Wafer Test / CP:Circuit Probe)はウェハ状態のままプローバーで各ダイの電気特性を測定し、不良ダイを封止前に弾く工程です…
ロジックプロセスとメモリプロセスの違い
ロジックプロセスはCPU・GPU・SoCなど演算・制御回路を製造するプロセスで、トランジスタ性能と集積度の最大化が目標です。メモリプロセスはDRAMやNAND …
ATPGとBISTの違い(テストパターンをどこで作るか)
どちらもDFT(テスト容易化設計)の枠組みに属する技術ですが、テストの実行主体が外にあるか内にあるかという点で対照的です。実際のSoCでは両者を組み合わせ、メモ…
HBM2EとHBM3の違い(世代別スペック比較)
HBM(High Bandwidth Memory)はDRAMを縦に積層しTSV(Through-Silicon Via)で接続した超高帯域メモリです。AI学習…
HTOLとバーンインの違い
どちらも高温で電圧をかけて動作させる試験のため混同されがちですが、位置づけはまったく違います。片方は製品の選別工程であり、もう片方は設計・プロセスの信頼性を認定…
FOR COMPANIES
貴社の情報をSemiraiに掲載しませんか?
無料プランからご利用いただけます。