SiC（碳化矽，Silicon Carbide）是由矽（Si）與碳（C）構成的IV-IV族化合物半導體，具備寬能隙（4H-SiC為3.26eV）、高崩潰電場（約3MV/cm）、高熱傳導率（約5W/cm·K）與高電子飽和速度，是優異的功率半導體材料。其最大特點是：與相同耐壓設計的矽元件相比，導通電阻可降低至1/300以下。
SiC MOSFET作為電動車（EV）的主逆變器（將電池電力轉換後供給馬達），採用正快速擴大。特斯拉（Tesla）Model 3的主逆變器（採用意法半導體製SiC）是代表性案例，有助於延長EV續航里程並提升充電效率。目前Wolfspeed（原Cree）、意法半導體（STMicroelectronics）、英飛凌（Infineon）、羅姆（ROHM）、安森美（onsemi）是主要的SiC元件廠商，在市場上相互競爭。
SiC晶圓（基板）的製造需要特殊技術。由於無法像矽一樣採用從熔融狀態拉晶的CZ法，必須以PVT（Physical Vapor Transport：昇華法）在1800～2400℃的高溫下花費數週時間成長單晶晶棒。大尺寸化（4吋→6吋→8吋）持續推進，但降低缺陷（微管、差排）密度與提升良率仍是課題。
SiC元件製造需要不同於一般矽製程的技術。SiC的離子佈植需要在高溫（500～1000℃）下佈植，並進行超高溫（1600℃以上）的活化退火。由於SiC熱氧化膜（SiO₂）的界面品質不如矽氧化膜，界面鈍化處理（在NO、N₂O氣氛中退火）不可或缺。
就市場成長而言，預估2023～2030年SiC元件市場將以年增率30%以上成長，EV、工業馬達、PV（太陽能）逆變器與充電基礎設施的需求急增。Wolfspeed與意法半導體正大規模擴建SiC晶圓廠；製造設備方面，Axcelis（離子佈植）、應用材料（Applied Materials，CVD/PVD/蝕刻）、Veeco（磊晶設備）是主要供應商。