SiC 功率半導體製造設備是什麼

SiC 功率半導體製造設備是專門用於製造以碳化矽（SiC）為基板材料之功率元件（SiC-MOSFET・SiC-SBD 等）的設備。SiC 的能隙比矽寬約 3 倍、崩潰電場高約 10 倍，因此能實現高耐壓・高溫運作・低損耗的開關元件。製造時需要高溫磊晶成長（1400～1600°C 以上的 CVD）、高能量離子佈植（Al/N）、高溫活化退火（1600～1800°C）等不同於 Si 的專用製程。在 EV（電動車）逆變器・太陽能發電・工業用電源需求擴大的背景下，從 6 吋到 8 吋的晶圓大尺寸化與降低製造成本是最重要的課題。

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SiC・GaN・RF 半導體製造（主題）

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