寬能隙半導體（WBG）是指能隙比矽（Si，約1.1eV）更大之半導體材料的總稱。代表性材料為 SiC（碳化矽，約3.26eV）與 GaN（氮化鎵，約3.4eV），能隙更寬的氧化鎵（Ga₂O₃，約4.8eV）與鑽石（約5.5eV）也作為次世代材料正在研究中。
能隙寬的直接結果是崩潰電場強度變高。SiC 的崩潰電場約為 Si 的10倍，確保相同耐壓所需的漂移層可以做得更薄，且濃度更高。漂移層是導通電阻的主要來源，因此結果是在相同耐壓下能大幅降低導通電阻。這就是 WBG 元件被稱為「低損耗」的依據。
第二個結果是高溫運作。能隙寬時，熱造成的載子激發不易發生，本質載子濃度得以維持在低水準。SiC 元件在超過200℃的環境下也能運作，可縮小冷卻機構，因而減少整個系統的體積與重量。
第三，可實現高速切換。由於漂移層薄、儲存載子少，關斷時的拖尾電流小，能在抑制切換損耗的同時提高頻率。頻率提高後，變壓器、電感、電容等被動元件得以小型化，提升整個電源的功率密度。GaN 快充充電器之所以小巧，正是這個效果所致。
另一方面，課題也很明確。SiC 的晶體缺陷控制困難、晶圓昂貴，長期以150mm 口徑為主。GaN 以在 Si 基板上成長的 GaN-on-Si 為主流，雖然較容易降低成本，但不易製作垂直結構，高耐壓化受到限制。預期短期內仍將依用途適材適所。