SiC MOSFET（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是以碳化矽（SiC）取代矽（Si）作為半導體材料的功率MOSFET。SiC與Si相比，能隙為3倍（3.26eV）、崩潰電場為10倍、熱傳導率為3倍，可在高電壓（600V～10kV）、高溫（超過200°C）、高頻下運作。在電動車（EV）的逆變器、車載充電器（OBC）、DC-DC轉換器應用上快速成長，Tesla Model 3的採用（2018年）成為市場普及的轉折點。
SiC MOSFET的主要特性是導通電阻（RDS(on)）低、切換損耗小。與相同耐壓的Si IGBT相比，導通電阻可降至約1/300，並可提高切換頻率，使濾波元件（電感、電容）小型化。在EV逆變器中採用SiC MOSFET，可使系統效率提升約1～3%，實現續航距離延長、電池容量削減與設備輕量化。意法半導體、Wolfspeed、安森美（onsemi）、英飛凌、羅姆為主要供應商。
SiC MOSFET的製造需要不同於傳統Si半導體的專用製程。在SiC晶圓（目前主流為150mm，正轉換至200mm）上進行的離子佈植（高溫、高能量）、閘極氧化層形成（SiO2/SiC介面品質是效能關鍵）、高溫退火（超過1500°C）等步驟為其特有。SiC磊晶層的成長使用MOCVD設備。與GaN功率元件的比較請參閱SiC與GaN功率半導體的差異的比較文章，SiC材料的基礎請參閱碳化矽（SiC）。