SiC・GaN・RF 半導體製造
涵蓋碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體，以及射頻（RF）元件的材料與製造技術。這類元件適合高電壓、高頻與高溫應用，在長晶、磊晶與離子佈植等方面需要與矽不同的製程設備與條件。
比較文章（4 篇）
- SiC與GaN功率半導體的差異SiC與GaN最大的差異在於「擅長的耐壓範圍與頻段」。SiC擅長650V～10kV（主流為1200～1700V）的高耐壓與高溫運作，是電動車主驅動逆變器的主流選擇。GaN在100V…
- SiC MOSFET與IGBT的差異（電動車・電力電子比較）SiC MOSFET與Si IGBT最大的差異在於「材料與切換頻率」。SiC MOSFET使用碳化矽，導通電阻約為Si的1/300，切換損耗大幅降低，因此可在100kHz以上的高頻…
- MOCVD與MBE的差異（化合物半導體磊晶比較）MOCVD與MBE最大的差異在於「真空度與產能」。MOCVD是在低～中真空（數～數百Torr）下，使有機金屬前驅物（TMGa等）與氫化物進行熱分解反應，可同時處理多片6～8吋晶圓且…
- SiC與矽（Si）的差異最大的差異在於「耐受高電壓的特性」。SiC的能隙約3.3eV，約為矽（約1.1eV）的3倍，崩潰電場約為10倍，因此能以較薄的漂移層做出相同耐壓的元件，大幅降低導通電阻與損耗。熱傳…
用語解說（11 個）
- 功率半導體功率半導體是為進行電力轉換・控制・整流而設計的半導體元件總稱，以在大電流・高電壓・高溫環境下運作為前提，是社會基礎設施電力轉換不可或缺的存在。
- 化合物半導體化合物半導體是由週期表中2種以上元素組合而成之半導體材料的總稱，代表例有砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、磷化銦（InP）等。
- 磊晶磊晶是在單晶基板上，沿著基板的晶格方向成長一層單晶薄膜的技術。從矽磊晶晶圓、先進電晶體的源極與汲極，到氮化鎵元件，都會用到磊晶。
- 離子佈植離子佈植是將雜質元素（摻雜物）離子化後以高能量照射晶圓，把摻雜物導入矽晶體內特定深度的製程，是決定 MOSFET 電氣特性的最重要步驟之一。
- 碳化矽（SiC）碳化矽（SiC）是由矽與碳構成的IV-IV族化合物半導體，具備寬能隙、高崩潰電場與高熱傳導率，是優異的功率半導體材料。與相同耐壓設計的矽元件相比，導通電阻可降至1/300以下。
- 氮化鎵（GaN）氮化鎵（GaN）是由鎵與氮構成的III-V族化合物半導體，具備寬能隙（3.4eV）、高崩潰電場（3.3MV/cm）與高電子飽和速度，是功率元件、高頻元件與光元件的重要材料。
- IGBT（絕緣閘雙極電晶體）IGBT（絕緣閘雙極電晶體）是結合 MOSFET 電壓驅動特性與雙極電晶體大電流・低飽和電壓特性的功率半導體元件，廣泛用作電力轉換電路的開關元件。
- SiC MOSFET（碳化矽功率電晶體）SiC MOSFET（碳化矽功率電晶體）是以碳化矽（SiC）取代矽（Si）作為半導體材料的功率MOSFET，可在高電壓、高溫與高頻下運作。
- RF 半導體（射頻半導體）RF 半導體（射頻半導體）是用於無線通訊，對 GHz 頻段～THz 頻段的高頻訊號進行放大、收發與處理的半導體元件總稱。
- 銅夾片接合（Clip Bonding）銅夾片接合是在功率半導體封裝中，以銅製平板狀夾片（金屬板）取代細線，透過焊接連接晶粒電極的構裝技術，可降低電阻與電感。
- 銀燒結接合銀燒結接合是將含奈米或微米級銀粒子的膏材塗佈於晶粒與基板之間，在相對低溫（200～250℃左右）與加壓下燒結，形成緻密銀接合層的新一代黏晶技術。
最後更新：2026年10月8日