耐壓（崩潰電壓，BVDSS）是指功率元件在關閉狀態下可承受的最大電壓。超過此電壓會發生累增崩潰，電流急遽流動，多數情況下會熱失控而使元件損壞。在電路設計上，一般會考量切換時的突波，選用耐壓為實際使用電壓1.5～2倍左右的產品。
耐壓主要由漂移層的厚度與不純物濃度決定。越厚、濃度越低，電場越分散，耐壓越高，但同時導通電阻也會增加。這個關係是功率元件設計本質上的取捨。
材料改變時，此取捨的位置本身也會移動。SiC 的崩潰電場約為 Si 的10倍，因此能以約1/10厚度的漂移層實現相同耐壓，而且濃度可以提高。在1200V 級中 SiC MOSFET 正逐步取代 Si IGBT，正是因為這是材料本身優勢能發揮作用的領域。
在實際元件中，無法直接得到理想平面接面的理論耐壓。晶片邊緣會發生電場集中，因此需要以保護環（guard ring）或 JTE（Junction Termination Extension）等終端結構來緩和電場，終端設計的優劣左右了實際的耐壓與可靠度。