能帶圖的讀法|從金屬・n型/p型半導體到pn接面的圖解

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能帶圖(簡稱帶圖)是以固體中電子可具有的能量為縱軸,表示導電帶、價電帶與能隙位置關係的圖。從金屬與絕緣體的差異,到n型、p型半導體、pn接面的整流作用,半導體元件的運作幾乎都能用這一張圖說明。以下從能帶圖的基本讀法開始,依序以圖解說明6種代表性情形。

本文重點

能帶圖的縱軸是能量 ─ 上方的帶是導電帶,下方的帶是價電帶,兩者之間是禁制帶(能隙)
金屬的能帶互相重疊、沒有能隙,半導體約1.1eV(Si),絕緣體為5eV以上
要記的符號有3個:Ec(導電帶底部)・Ev(價電帶頂端)・EF(費米能階)
n型的EF靠近導電帶,p型靠近價電帶 ─ 摻雜會使費米能階移動
pn接面中能帶彎曲,形成內建電位的位障;偏壓使位障升降,產生整流作用

能帶圖是什麼?Ec・Ev・EF的讀法

能帶圖是將晶體中電子可具有的能階以帶狀(能帶)描繪的圖,也就是能帶理論的視覺化。縱軸是能量,越往上能量越高。圖中出現的符號主要有3個:Ec是導電帶底部(在此之上電子可自由移動),Ev是價電帶頂端(在此之下幾乎被電子填滿),EF是費米能階(表示電子填充程度的統計基準線)。Ec與Ev之間的能量區域是禁制帶(能隙),電子無法存在於此。只要讀懂這3條線的位置關係,就能直接從圖上了解材料的導電性與元件的運作。

金屬・半導體・絕緣體的能帶結構差異

3類材料的差異,只用能隙的寬度就能說明。金屬(導體)的價電帶與導電帶互相重疊,由於沒有能隙,電子隨時都能自由移動,任何時候都能導電。半導體(矽等)的能隙約1.1eV,相對較窄,電子可藉由常溫的熱能、光或摻雜躍升到導電帶,因此視條件而導電。絕緣體(SiO₂等)的能隙達5eV以上,相當寬,在一般條件下電子無法跨越,因此幾乎不導電。「金屬的能帶結構沒有能隙」這一點,是它與半導體、絕緣體的決定性差異。

金屬(導體)、半導體、絕緣體的能帶結構比較圖。顯示金屬的價電帶與導電帶重疊、沒有能隙,半導體具有約1.1eV的窄能隙,絕緣體則具有5eV以上的寬能隙。
金屬・半導體・絕緣體的能帶結構比較 ─ 能隙寬度決定導電性

本質半導體的能帶圖 ─ 費米能階位於能隙中央

不含雜質的純半導體(本質半導體)的能帶圖中,費米能階EF大約位於能隙的正中央。在常溫下,價電帶的部分電子因熱能被激發到導電帶,導電帶中產生自由電子,價電帶中則產生電子離開後留下的電洞。由於激發是成對發生,電子與電洞的數量永遠相等(n = p = ni),這是本質半導體能帶圖的最大特徵。以這個狀態為起點,加入雜質後能帶圖如何變化,就銜接到接下來的n型、p型。

本質半導體的能帶圖。顯示費米能階EF大約位於能隙中央,並因熱激發產生數量相同的電子與電洞。
本質半導體的能帶圖 ─ EF位於能隙中央,電子與電洞成對產生

n型半導體・p型半導體的能帶圖 ─ 施體能階與受體能階

n型半導體是加入磷或砷(施體)的半導體,在能帶圖中,導電帶底部Ec正下方(約0.05eV)會出現施體能階ED。施體的電子只需少許熱能就能躍升到導電帶,因此導電帶獲得大量自由電子,費米能階EF往導電帶方向上移。p型半導體是加入硼(受體)的半導體,價電帶頂端Ev正上方會出現受體能階EA,價電帶中產生大量電洞,EF往價電帶方向下移。「n型的EF在上,p型的EF在下」─ 這種不對稱性,正是兩者接合時能帶彎曲的原因。

n型半導體與p型半導體的能帶圖比較。n型的施體能階ED位於導電帶正下方,費米能階靠近導電帶;p型的受體能階EA位於價電帶正上方,費米能階靠近價電帶。
n型・p型半導體的能帶圖 ─ 摻雜會改變費米能階的位置

pn接面的能帶圖 ─ 能帶彎曲與內建電位

將p型與n型接合後,電子會從費米能階較高的n側擴散到較低的p側,在接面處與電洞復合,形成沒有載子的空乏區。熱平衡時費米能階EF在整體上會對齊成一直線,因此原本EF位置不同的p側與n側,其能帶會在接面處平滑地彎曲。這個彎曲的高度就是內建電位qVbi(矽約0.6~0.7V),作為阻止載子進一步擴散的位障。「為什麼pn接面的能帶圖會彎曲」這個常見疑問,答案一句話就是「因為熱平衡時EF必須成一直線」。

pn接面熱平衡狀態下的能帶圖。顯示接面處的空乏區中能帶彎曲,形成內建電位qVbi的位障,費米能階在整體上對齊成一直線。
pn接面的能帶圖(熱平衡) ─ 為使EF對齊成一直線,能帶發生彎曲

順向偏壓・逆向偏壓時能帶如何變化

對pn接面施加順向偏壓(p側接+)時,外部電壓朝抵消內建電位的方向作用,位障降低到q(Vbi−VF)。電子與電洞越過位障注入對側,形成順向電流。逆向偏壓(p側接−)則相反,位障升高到q(Vbi+VR),空乏區也隨之擴大,載子無法移動,只會流過微小的漏電流。這種「偏壓使位障升降」的作用,正是二極體整流作用的本質,電晶體與太陽能電池的運作,也可以理解為這種能帶圖變化的應用。

對pn接面施加順向偏壓與逆向偏壓時的能帶圖比較。順向偏壓時位障降低、電流流動;逆向偏壓時位障升高、空乏區擴大,電流被阻斷。
順向偏壓・逆向偏壓時的能帶圖 ─ 位障的升降產生整流作用

延伸閱讀

能帶理論→
能隙→
導帶→
價帶→
本質半導體→
N 型半導體與 P 型半導體→
pn 接面→
半導體是什麼?簡單易懂|原理・角色與生活中的應用→
半導體的種類|Si・SiC・GaN・GaAs的差異與用途→

常見問題

能帶圖是什麼?▾
以固體中電子可具有的能量為縱軸,將導電帶、價電帶與能隙的位置關係以帶狀描繪的圖。從Ec(導電帶底部)・Ev(價電帶頂端)・EF(費米能階)這3條線的位置關係,可以讀出材料的導電性與半導體元件的運作。
金屬的能帶結構是什麼樣子?▾
金屬的價電帶與導電帶互相重疊,沒有能隙。因此電子始終處於可自由移動的狀態,不論溫度或光照條件如何都能良好導電。有無能隙,是金屬與半導體、絕緣體的決定性差異。
n型半導體與p型半導體的能帶圖有什麼不同?▾
n型在導電帶底部正下方形成施體能階,費米能階EF往導電帶方向上移。p型在價電帶頂端正上方形成受體能階,EF往價電帶方向下移。這種EF位置的差異,正是pn接面中能帶彎曲的原因。
pn接面的能帶圖為什麼會彎曲?▾
因為熱平衡時費米能階EF在整體上必須對齊成一直線。n型的EF較高、p型較低,接合後為了使EF對齊,能帶在接面處(空乏區)平滑地彎曲,形成內建電位qVbi(矽約0.6~0.7V)的位障。
費米能階(EF)是什麼?▾
表示電子將能階占據到什麼程度的統計基準線,也就是電子占據機率為50%的能量。在本質半導體中位於能隙中央,n型靠近導電帶,p型靠近價電帶,是判讀摻雜狀態的線索。
順向偏壓與逆向偏壓時能帶圖如何變化?▾
順向偏壓時外部電壓抵消內建電位,位障降低到q(Vbi−VF),載子被注入而有電流流動。逆向偏壓時位障升高到q(Vbi+VR),空乏區擴大,因此除了微小的漏電流外沒有電流流動。這就是二極體整流作用的原理。
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