施體與受體是摻雜於半導體中、決定導電型態的2種雜質。施體（donor）是磷（P）、砷（As）等價電子多1個的元素，會供應自由電子形成 n 型半導體。受體（acceptor）是硼（B）等價電子少1個的元素，會產生電洞形成 p 型半導體。
施體在導帶正下方、受體在價帶正上方形成淺雜質能階，室溫下幾乎全部會釋出電子・電洞而成為多數載子。這些雜質的植入採用離子佈植，之後再經活化退火（摻雜物活化）納入晶格而發揮作用。
施體是比半導體（4價的矽）多1個價電子的5價磷或砷，會將未用於鍵結的多餘電子供應至導帶。受體是少1個價電子的3價硼，因鍵結所需的電子不足而產生電洞。
施體能階形成於導帶正下方，受體能階形成於價帶正上方，屬於「淺能階」，在室溫的熱能下幾乎全部游離並釋出載子。另一方面，形成於能隙中央附近的深能階會成為陷阱或復合中心，使元件特性劣化。