電洞（hole）是半導體價帶中電子離開後留下的「電子空位」，其行為宛如帶正電荷的粒子並傳導電流。當一個電子離開時，周圍的電子會接連移動來填補空位，結果電洞便朝與電子相反的方向移動，形成電流。
電洞是 p 型半導體的多數載子，也是與電子共同負責半導體導電的2種載子之一。電洞的遷移率一般低於電子，因此 p 型 MOSFET 的運作比 n 型慢，CMOS 設計中需要設法補償此差異。
電洞的本質是「電子離開後的空位」，但若將大量電子接連填補空位而移動的集體行為，視為1個帶正電荷的虛擬粒子，便能簡潔地描述此現象。施加電場時，電洞朝與電子相反的方向移動，並對電流有所貢獻。
在矽中，電洞的遷移率約為 450cm²/V·s，小於電子（約 1,400cm²/V·s），因此以電洞為載子的 p 型 MOSFET 比 n 型更難流通電流。CMOS 電路會藉由加大 p 型電晶體的尺寸等方式來補償此差異。