本質半導體（intrinsic semiconductor）是幾乎不含雜質的純粹半導體，矽或鍺的完美晶體即屬此類。其特徵是因熱能從價帶激發至導帶的電子，與由此產生的電洞數量始終相等。
本質半導體的導電度低，且強烈依賴溫度。在其中微量添加作為施體或受體的雜質（摻雜），即可製作電子較多的 n 型半導體或電洞較多的 p 型半導體（雜質半導體／外質半導體），作為電晶體與二極體的材料。
在本質半導體中，費米能階大致位於能隙中央，電子與電洞（載子）的濃度相等。此濃度稱為本質載子濃度，會隨溫度上升呈指數增加，因此本質半導體的電阻強烈依賴溫度。
在實用元件中，會對這種純粹晶體刻意添加雜質進行摻雜，製作電子過剩的 n 型或電洞過剩的 p 型（雜質半導體／外質半導體）。本質半導體終究只是起點，要靠摻雜技術才能實現電晶體與二極體。