N 型半導體與 P 型半導體是在純粹半導體(本質半導體)中添加雜質以控制電氣性質的2種雜質半導體。N 型加入磷或砷等施體雜質,以自由電子為多數載子;P 型加入硼等受體雜質,以電洞為多數載子。
N 型的 N 源自 Negative(帶負電荷的電子),P 源自 Positive(帶正電荷的電洞)。將這2者接合而成的 pn 接面是二極體與電晶體的基本結構,藉由組合 N 型與 P 型,構成所有半導體元件。摻雜濃度的精密控制決定元件效能,其植入採用離子佈植。
在 N 型半導體中,電子為多數載子、電洞為少數載子,P 型則相反。多數載子的濃度大致由摻雜濃度決定,精密控制此濃度與電晶體的臨界電壓及電阻設計直接相關。雜質的植入採用離子佈植,活化則採用熱處理(退火)。
將 N 型與 P 型相鄰配置即形成 pn 接面,成為具有整流作用的二極體。進一步以 NPN 或 PNP 方式組成3層即為雙極性電晶體,以閘極控制則成為 MOSFET;藉由 N 型與 P 型的組合方式,構成所有半導體元件。