電晶體（Transistor）是將電氣訊號放大或進行開關切換的半導體元件，是構成現代電子設備・電腦・通訊設備根基的元件。1947年由貝爾實驗室的 Shockley・Bardeen・Brattain 發明，到2024年的現在，1顆 SoC（System on Chip）上已整合多達數百億個電晶體。
半導體 IC 中最廣泛使用的是 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。藉由對閘極施加電壓來開關源極・汲極間的通道，控制電流的導通／截止。CMOS 邏輯結合 NMOS 與 PMOS，在抑制功耗的同時實現高速運作。
微縮的歷史以摩爾定律為人所知，每推進一個製程（節點），電晶體尺寸就縮小，整合密度隨之提高。平面型（planar）MOSFET 到22nm節點為止都是主流，但因短通道效應造成的效能下降日益明顯，自14nm以後改採立體結構的 FinFET。
進一步在3nm節點以後，採用閘極從四個方向完全包覆通道的 GAA（Gate-All-Around）奈米片結構。台積電於2022年開始量產3nm FinFET，三星則在3nm導入 GAA（MBCFET）。藉由更小的電晶體，CPU、GPU 與 AI 加速器的效能持續提升。
製造上結合了許多先進製程，例如閘極絕緣層（High-k 閘極氧化層：HfO₂ 等）的 ALD 成膜、閘極電極（金屬閘極：TiN、TaN 等）的 PVD/CVD、源極・汲極的磊晶成長、精密蝕刻（RIE・ALE）等。