最後更新：2026年10月8日基礎概念分離式元件・光電半導體中國大陸：高电子迁移率晶体管

HEMT（高電子遷移率電晶體）是什麼

High Electron Mobility Transistor (HEMT)

HEMT（高電子遷移率電晶體）是以能隙不同之化合物半導體異質接面界面所形成的二維電子氣（2DEG）作為通道的高速FET。由於電子行進時不受雜質散射，可得到極高的遷移率；GaN HEMT用於5G基地台與快速充電器，GaAs HEMT則用於衛星通訊與高頻電路。

目錄4 項

定義與原理

HEMT（高電子遷移率電晶體，High Electron Mobility Transistor）是利用能隙不同之化合物半導體異質接面界面所產生的二維電子氣（2DEG）的高速FET。由於電子行進時不受雜質散射，可實現極高的遷移率與高頻特性。

採用GaAs或GaN（氮化鎵）的HEMT用於5G/6G基地台、雷達、衛星通訊等高頻、高功率用途。此外，GaN HEMT作為高效率功率元件，在電源與EV領域也快速普及。英飛凌（Infineon）、Wolfspeed等為主要廠商。

HEMT利用的現象是：在接合2種能隙不同之化合物半導體的異質界面，會自然形成高密度的電子層（二維電子氣，2DEG）。由於電子與供應層的雜質在空間上分離而行進，散射少，可得到極高的遷移率。

GaAs系HEMT長年用於衛星通訊與雷達等超高頻領域，近年GaN系HEMT兼顧高頻與高功率，在5G/6G基地台與功率元件領域快速成長。英飛凌、Wolfspeed、博通（Broadcom）等是主要業者。

什麼是HEMT？

利用接合能隙不同之化合物半導體的界面所產生的二維電子氣（2DEG）的高速FET。電子不易受雜質散射，可實現高遷移率與高頻特性。

什麼是二維電子氣（2DEG）？

在異質接面界面形成的高密度電子薄層。由於電子與供應層的雜質分離而行進，散射少，是HEMT高遷移率的來源。

GaN HEMT用於哪些地方？

除了5G/6G基地台與雷達等高頻用途外，作為高效率功率元件，在快速充電器、資料中心電源及EV中也日益普及。