GaN（氮化鎵，Gallium Nitride）是由鎵（Ga）與氮（N）構成的III-V族化合物半導體。具備寬能隙（3.4eV）、高崩潰電場（3.3MV/cm）、高電子飽和速度與高熱穩定性等優異特性，作為功率元件、高頻元件、光元件（藍光與紫光LED、雷射二極體）的材料扮演重要角色。
與矽MOSFET相比，GaN功率元件的切換損耗大幅降低，可在高頻（最高達數MHz）下運作。GaN HEMT與GaN MOS-HEMT在智慧型手機與筆記型電腦的快充變壓器（GaN充電器）、資料中心電源模組（48V架構）、太陽能逆變器（功率調節器）等的採用正快速增加。GaN Systems（已被英飛凌收購）、EPC（Efficient Power Conversion）、VisIC Technologies是主要廠商。
高頻GaN（RF GaN）具有形成於GaN-on-SiC或GaN-on-Si晶圓上的HEMT結構，廣泛用於5G基地台的功率放大器（PA）、雷達與國防電子設備。2DEG（二維電子氣）帶來的高電子遷移率（>2000 cm²/V·s）實現了高頻與高輸出。Wolfspeed（原Cree）、Macom、英飛凌、三菱電機是主要供應廠商。
GaN LED由InGaN（氮化銦鎵）量子井結構發出藍光、綠光與白光，是高亮度LED照明、背光模組與顯示器光源不可或缺的材料。1990年代日亞化學工業（中村修二等人）發明氮化鎵系藍光LED，並獲得諾貝爾物理學獎（2014年），是技術與社會影響力都相當大的發明之一。
GaN製造不可或缺的是MOCVD（有機金屬化學氣相沉積）設備，主要廠商為Veeco Instruments與AIXTRON。GaN-on-Si晶圓正朝大尺寸（200mm）發展，可望降低成本；GaN-on-SiC則在RF用途維持高性能。隨著EV、資料中心與5G市場成長，GaN元件市場預期將持續高度成長。