鍺通道電晶體（Germanium Channel Transistor）是以鍺（Ge）取代傳統的矽（Si）作為電晶體通道材料的次世代元件技術。鍺的電子遷移率（約2倍）與電洞遷移率（約4倍）均高於矽，在相同供應電壓下也能實現高速、低功耗運作，因此被視為提升PMOS電晶體性能的有效材料而持續研究。
鍺通道在製造上的課題包括：①與矽基板晶格不匹配（4%）而產生錯配差排（misfit dislocation）；②GeO₂閘極氧化層的熱不穩定性（Ge的氧化層在低溫下容易分解）；③難以形成p型雜質（硼）的陡峭接面。針對這些課題，結合High-k/Metal Gate以及Si₁₋ₓGeₓ（SiGe）緩衝層技術等解決方案正在研究中。
在目前的先進FinFET製程中，於PMOS通道選擇性使用SiGe（Ge含量30～50%）的混合基板（SiGe-on-Insulator）做法已經實用化。台積電的N3/N2製程在奈米片GAA的PMOS側通道採用SiGe。作為下一步，進一步提高Ge含量，或轉向純Ge通道，正在2nm以後的節點進行評估。
在鍺上形成High-k閘極絕緣層是重要的研究主題。Ge與SiO₂/High-k之間的介面態密度比Si高，會影響臨界電壓的穩定性。目前已開發出GeO₂鈍化技術，以及先在介面夾入薄Si層再沉積High-k的Si-passivation技術。應用材料推出支援次世代通道材料的沉積與蝕刻設備。
預估未來在2nm以後的先進節點，GAA（Gate-All-Around）奈米線、奈米片結構將正式採用Ge/SiGe通道。此外，將III-V族半導體（InGaAs等）與Ge組合的CMOS結構（NMOS用InGaAs、PMOS用Ge）作為「未來的CMOS」持續研究中，英特爾與IMEC（比利時）引領先期研究。