LDD（Lightly Doped Drain，輕摻雜汲極）是指在MOSFET的源極・汲極中，只將與閘極端相接的部分設為低雜質濃度的結構。目的是緩和集中於汲極端的電場，抑制熱載子造成的電晶體劣化，於1980年左右開始實用化。
電晶體微縮後，汲極附近的電場會變得非常強，被加速的高能電子（熱載子）會射入閘極氧化膜並被捕獲，使臨界電壓等特性隨時間變化。LDD結構在汲極與通道的交界處夾入低濃度區域，使電位變化平緩，降低電場峰值。製作順序是：形成閘極電極後，以閘極為遮罩進行低劑量離子佈植；接著在閘極兩側形成絕緣膜側壁（側壁間隙壁，sidewall spacer）；再於其外側以高劑量佈植源極・汲極，以自我對準方式形成2段結構。
LDD區域電阻高，缺點是會降低電晶體的電流。因此隨著世代演進，該區域轉變為提高濃度並淺層形成的源極・汲極延伸區（SDE）。目前的LDD／延伸區，是以低能量淺層佈植砷或硼，並搭配抑制短通道效應的暈環（halo，口袋）佈植形成。在電源電壓高的功率用或高耐壓MOSFET中，用於緩和電場的輕摻雜汲極結構至今仍很重要。