短通道效應（SCE：Short Channel Effect）是 MOSFET 的通道長度（閘極長度）持續微縮時所顯現的電晶體特性劣化現象總稱。通道變短後，原本應由閘極電壓控制的通道電位，會受到源極・汲極電場的強烈影響，使閘極的靜電控制難以發揮作用。這會導致臨界電壓下降與關閉電流增加。
代表性的 SCE 包括：通道長度越短 Vth 越低的 Vth 滾降（roll-off）、汲極電壓上升使 Vth 下降的 DIBL（Drain Induced Barrier Lowering：汲極引致能障降低）、閘極無法完全阻擋的漏電流（次臨界漏電），以及貫穿（punch-through）等。這些都會使電晶體無法完全關閉，導致待機功耗增加與運作不穩定。
抑制 SCE 的基本方法，是打造讓閘極能以靜電方式強力支配通道的結構。由於平面型已達極限，結構逐步立體化，發展出從3個方向包圍通道的 FinFET，以及全面包圍的 GAA（環繞式閘極）／奈米片。這些結構藉由提高「閘極控制力」來抑制 SCE，使進一步微縮成為可能。
在材料與製程方面，以 High-k 絕緣膜降低等效氧化層厚度（EOT）、暈環佈植（halo implant）與超淺接面（摻雜物活化）、採用 SOI 基板等，也被用作 SCE 的對策。短通道效應的控制，是延續摩爾定律過程中驅動電晶體結構演進的根本課題。