砷（Arsenic，元素符號As）是原子序33的15族（5族）元素。在矽中作為形成n型半導體的施體（n型摻雜物）使用，在化合物半導體中則作為GaAs（砷化鎵）、InGaAs、AlGaAs等的構成元素。
砷作為摻雜物的特徵是原子重（原子量約75，約為磷的2.4倍），在矽中擴散慢。以相同能量佈植時，砷停留的位置比磷淺，熱處理時也不易擴展，因此用於nMOS電晶體淺而陡峭的源極・汲極及其延伸區（extension）。砷在矽中可溶入的量（固溶度）大，即使高濃度也能發揮電性作用，因此能形成低電阻區域，這也是其優點。重離子光是打入就會使表面非晶化，因此也不容易發生通道效應。此外，砷也用於雙極性電晶體的埋入層，以及低電阻n型矽基板的摻雜物。
離子佈植的原料使用AsH₃（砷化氫）氣體或固態砷。砷化氫毒性極強，容許濃度訂在ppb等級，因此會以讓氣體吸附於吸附材、再以減壓方式取出的安全容器，搭配洩漏偵測器與尾氣處理設備嚴格管理。在化合物半導體的晶體成長（MOCVD）中，也會使用砷化氫或較易處理的有機砷原料（TBAs）。GaAs晶圓研削・研磨時產生的污泥與廢液也含有砷，因此必須依法規進行回收與處理。