磷（Phosphorus，元素符號P）是原子序15的15族（5族）元素，加入矽中會作為施體形成n型半導體，是代表性的n型摻雜物。進入矽原子位置的磷，會多出1個未參與鍵結的電子，在室溫下這些電子幾乎全部都能自由移動並傳導電流。
磷的導入方式有離子佈植、熱擴散與in-situ摻雜。離子佈植是從PH₃（磷化氫）氣體等產生磷離子後打入；熱擴散則是在擴散爐中將液態POCl₃（三氯氧磷）氣化，從表面擴散進去。POCl₃擴散至今仍廣泛用於形成結晶矽太陽能電池的n型層（射極）。磷比同為n型摻雜物的砷輕，擴散也較快，因此用於需要深接面的n井、低濃度的LDD，以及多晶矽閘極電極等。在先進的FinFET中，nMOS的源極・汲極是以高濃度含磷矽（Si:P）的磊晶成長形成。
磷在摻雜物以外也有其他用途。含磷的矽酸鹽玻璃（PSG）以及同時含硼的BPSG，加熱後會流動而能使表面平坦，並具有捕捉鈉等可動離子（吸雜）的性質，因此曾是過去層間介電層的主角。在功率半導體用的FZ矽中，會以中子照射將矽原子（³⁰Si）轉變為磷（³¹P）的中子照射摻雜（NTD），製作出極為均勻的n型晶圓。在化合物半導體中，磷是InP（磷化銦）與GaP（磷化鎵）的構成元素。磷化氫毒性非常強，因此在氣體供應與排氣時，必須以尾氣處理設備進行處理。