摻雜（Doping）是指在半導體中加入微量雜質（摻雜物），以控制其電性。純矽（本質半導體）在室溫下幾乎不導電，但加入磷（P）或砷（As）等第5族元素時，電子會過剩而成為n型；加入硼（B）等第3族元素時，會產生電洞而成為p型。加入量約為數億個矽原子中1個到數百個中1個（10¹⁴～10²⁰cm⁻³），極為微量，但這樣的量就能使電阻率改變好幾個數量級。
摻雜方法主要有3種。第1種熱擴散，是在擴散爐中加熱至約900～1100℃，從POCl₃或BBr₃等來源將雜質供應到表面並向內部擴散的方法，目前仍用於太陽電池等。第2種離子佈植，是將雜質離子化並以電場加速後打入晶圓的方法，可精密控制劑量（dose）與深度，因此成為LSI的主流。植入後以熱處理（活化退火）修復結晶損傷，使摻雜物取代矽的晶格位置而發揮電性作用。第3種是在磊晶成長或CVD的原料氣體中混入摻雜物，與薄膜同時摻入的臨場（in-situ）摻雜。此外還有可均勻摻入FinFET等立體結構側面的電漿摻雜，以及在矽晶拉晶時加入熔液、使整片晶圓成為p型・n型的方法。
在電晶體中，會在井區、源極・汲極、調整臨界電壓的通道、抑制短通道效應的暈環（halo）等各處，疊加種類・濃度・深度各不相同的摻雜來製作元件。濃度越高電阻越低，但載子遷移率會下降，超過矽可固溶的上限（固溶度極限）時便無法發揮電性作用。摻雜結果以四點探針法量測片電阻、以SIMS量測深度方向的濃度分布、以霍爾效應量測載子濃度來評估。