G10-SiC 是愛思強（AIXTRON）的 SiC 磊晶成長設備。於 2022 年 9 月在瑞士達沃斯舉行的國際會議 ICSCRM 上發表，被定位為支援從 150mm（6 吋）轉向 200mm（8 吋）的產品。
具備 9×150mm 與 6×200mm 2 種晶圓尺寸架構。以實績豐富的 G5 WW C 150mm 平台為基礎，廠商表示以高成長速率製程實現同級最高的晶圓產能與業界最低的每片晶圓成本。
具備伴隨高溫傳送的自動晶舟盒對晶舟盒（cassette-to-cassette）傳送，以及最佳化批次的原位晶圓表面溫度控制（TTC）。摻雜與膜厚均勻性 σ 低於 2%，典型缺陷數低於 0.02/cm²，對應單層・雙層漂移層元件結構。