G10-GaN 是愛思強（AIXTRON）針對 GaN（氮化鎵）的 MOCVD 設備。支援 150mm／200mm 晶圓，將 3 個製程腔體整合為精巧的叢集，使每單位無塵室面積的晶圓處理數最大化。
採用大容量批次的 Planetary Reactor 技術，具備逐片晶圓的閉迴路表面溫度控制，以及控制膜厚・成分均勻性的 5 組注入器。晶圓面內均勻性比過去改善 3 倍，微粒密度壓低至約 0.1/cm²。
具備 50 片晶圓匣對晶圓匣搬送的全自動晶圓搬運、腔體間匹配與自動腔體清潔，設備稼動率達 90% 以上。廠商表示磊晶成本比其他任何平台低 25% 以上。也支援從 AIX G5+ C 移轉製程。