前段製程設備

清洗設備是在半導體製造製程中去除晶圓表面微粒（微粒子）、金屬雜質、有機物、原生氧化層等汙染物質，使用頻率最高的重要前段製程設備。

CMP（Chemical Mechanical Planarization：化學機械研磨）設備結合化學作用與機械研磨，將晶圓表面的凹凸平坦化至奈米等級，是前段製程的核心設備。

薄膜沉積設備是在晶圓表面形成絕緣膜、導電膜、半導體膜等薄膜的前段製程重要設備，膜厚從數百奈米到原子等級。

蝕刻設備是從晶圓上的薄膜去除不需要的部分、形成微細電路圖形的前段製程核心設備。

檢測設備是偵測晶圓製程各步驟所產生的缺陷，以提升良率並確保品質的設備群。

離子佈植機是將雜質離子（硼、磷、砷等）以高能量打入矽等半導體基板，精密控制電晶體源極、汲極、井區的導電型與濃度的前段製程關鍵設備。

曝光機（微影設備）是利用光將光罩（reticle）上的電路圖形轉印至晶圓上光阻的設備群。

光罩製造設備（光罩／reticle 製造設備）是製造、檢測與修補半導體曝光製程所用光罩（reticle）的設備群。

量測設備是精密測量晶圓製程中圖形尺寸、膜厚、疊對（位置偏移）等數值的設備群。

熱處理設備是將半導體晶圓加熱至高溫（約 200～1100°C），進行雜質活化、氧化膜形成、矽化物形成、退火（晶格缺陷修復）等熱反應的前段製程重要設備群。