晶圓製造設備
晶圓製造設備位於前段製程之前，是從矽或化合物半導體的晶棒（單晶）製造出鏡面晶圓的上游製程設備群。以單晶拉晶（CZ/FZ）成長晶體，用線鋸切成薄片，再經研磨（lapping）、拋光、倒角，完成平坦化至原子等級的基板。在此決定的晶格缺陷密度、翹曲（warp）、表面粗糙度、厚度不均，會左右後續曝光、薄膜沉積、CMP 的良率，因此晶圓品質是整個半導體製造的起點。近年 SiC、GaN 等化合物基板的量產化持續推進，對應難加工材料之專用設備的重要性日益提高。
細分類 7 類
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化合物半導體基板製造設備（SiC/GaN）
化合物半導體基板製造設備是製造 SiC、GaN、GaAs、InP 等矽以外之半導體基板並進行沉積的設備群。
單晶生長設備（CZ/FZ 拉晶）單晶生長設備是將多晶矽原料熔融，從晶種成長出無缺陷單晶晶棒的設備。
雙面拋光設備（DSP）雙面拋光設備（DSP）是以上下研磨盤同時拋光晶圓正反兩面，做出高平坦度與平行度的設備。
晶圓基板檢測設備晶圓基板檢測設備是針對投入元件製程前的鏡面晶圓，檢測表面異物、刮傷、LPD（光點缺陷）、形狀、電阻率等的設備群。
晶圓邊緣拋光設備晶圓邊緣拋光設備是拋光經倒角（bevel）加工之晶圓外周部，去除邊緣粗糙與微裂紋的設備。
晶圓拋光、倒角設備晶圓拋光與倒角設備是將切片後的晶圓表面鏡面化、整修邊緣之精加工製程的設備群。
線鋸、切片設備切片設備是將成長完成的單晶晶棒切成薄晶圓的設備。
重點整理
從晶棒（單晶）製造鏡面晶圓、位於前段製程之前的上游製程
主要步驟：拉晶（CZ/FZ）→切片（線鋸）→研磨、拋光、倒角
晶格缺陷、翹曲、表面粗糙度、厚度不均決定後續製程的良率
SiC、GaN 等難加工化合物基板用專用設備的需求擴大