化合物半導體基板製造設備（SiC/GaN）是什麼
化合物半導體基板製造設備是製造 SiC、GaN、GaAs、InP 等矽以外之半導體基板並進行沉積的設備群。SiC 以昇華法（PVT）成長單晶為主，GaN 則以在藍寶石等異質基板上進行磊晶成長（MOCVD/HVPE）為主，兩者皆需要高溫、難加工的製程。隨著 EV、高效率電源用的 SiC 功率元件，以及快充、通訊用 GaN 元件的需求擴大，化合物基板及其磊晶設備的重要性日益提高。
重點整理
SiC：以昇華法（PVT）成長單晶——功率半導體的核心基板
GaN：以在異質基板上磊晶成長（MOCVD/HVPE）為主流
相較於 Si，在高耐壓、低損耗、高頻操作方面更優異
EV、高效率電源、通訊用需求急速擴大
常見問題
什麼是化合物半導體基板？
是由 SiC、GaN、GaAs、InP 等多種元素構成之半導體的基板。在高耐壓、高頻、高溫操作方面優於矽，用於功率與 RF 元件。
SiC 基板為何難以製造？
必須以超過 2000°C 高溫的昇華法成長晶體，成長速度慢且缺陷控制困難，因此製造成本高。